一种带有失调消除电路的带隙基准设计

设计一种带有消除失调电压的带隙基准源。采用NEC的0.35μm 2P2M标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行设计和仿真。该电路比传统的带隙基准电路具有更高的精度和稳定性。带隙基准的输出电压为1.274 V,在3~6 V的电源电压范围内基准电压随输入电压的最大偏移为0.4 m V;在-55~125℃的温度范围内,基准电压随温度的变化为4 m V,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系。该电路以增加芯片功耗和面积为代价,消除失调电压对电路的影响。基准电压电源抑制比可达到85 d B。     

混合准周期异质结构的带隙补偿与展宽

基于一维光子晶体异质结构的多帯隙交叠补偿思想,提出了一种新颖的混合准周期级联结构,用于扩大全方位光子带隙.该全方位反射器结构由Fibonacci准周期结构和Thue-Morse准周期结构级联构成,研究表明,相比单种准周期结构,其全方位光子带隙宽度有显著提高.系统研究了结构参数(如周期数、阶数、介质折射率和厚度)对该结构光子带隙的影响,通过与周期结构带隙特性的比较,分析了准周期结构易于实现多带隙交叠的原因,为更复杂带隙结构的补偿和展宽奠定了设计基础.     

二维函数光子晶体

光子晶体是由两种或两种以上不同介电常数材料所构成的周期性光学纳米结构.光子晶体结构可分为一维、二维和三维,其中二维光子晶体已成为研究的热点.可调带隙的二维光子晶体可以设计出新型的光学器件,因此,对它的研究具有重要的理论意义和应用价值.本文提出的二维新型函数光子晶体可以实现光子晶体带隙的可调性.所谓二维函数光子晶体,即组成它的介质柱的介电常数是空间坐标的函数,它不同于介电常数为常数的二维常规光子晶体.二维函数光子晶体是通过光折变非线性光学效应或电光效应使介质柱的介电常数成为空间坐标的函数.运用平面波展开法给出了TE和TM波的本征方程,由傅里叶变换得到二维函数光子晶体介电常数ε(r)的傅里叶变换ε(G),其傅里叶变换比常规二维光子晶体的复杂.计算发现当介质柱介电常数为常数时,其傅里叶变换与常规二维光子晶体的相同,因此二维常规光子晶体是二维函数光子晶体的特例.在此基础上具体研究了二维函数光子晶体TE波和TM波的带隙结构,其介质柱介电常数函数形式取为ε(r)=k·r+b,其中k,b为可调的参数.并与二维常规光子晶体TE波和TM波的带隙结构进行了比较,发现二维函数光子晶体与二维常规光子晶体TE波和TM波的带隙结构有明显的区别,二维函数光子晶体的带隙数目、位置以及宽度随参数k的变化而发生改变.从而实现了二维函数光子晶体带隙结构的可调性,为基于二维光子晶体的光学器件的设计提供了新的设计方法和重要的理论依据.     

一种用于LED背光驱动的带隙基准源

依据带隙基准源的基本原理设计了一种用于LED背光驱动芯片的带隙基准源,与传统带隙基准源相比,设计的带隙基准源采用了无运放电路结构。该电路在基于0.5mm BCD工艺下完成设计,通过Hspice仿真表明,当温度在–40~+125℃变化时,基准源输出电压在1.227 5~1.229 8 V之间变化,温漂系数仅为11.36×10~(–6),基准源供电电压在6~8 V之间变化时,基准源输出电压相对变化量为0.85%,满足了设计要求。     

一种低温漂带隙基准电压源设计

文中设计了一种适用于DC—DC转换器的带隙基准电压源,在0.18μm的SIMC工艺下,采用Cadence Spectre对电路进行仿真分析。结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.214 V,在-40~+85℃范围内,基准电压的温度系数为2.46×10-6/℃。     

平直水翼梢隙流动的直接数值模拟研究

本文对真实湍流入口条件下的梢隙流动进行直接数值模拟研究,来流湍流边界层动量厚度雷诺数为800。水翼采用NACA0012水翼,水翼攻角为8°,选取经水翼弦长无量纲化后的梢隙宽度为0.0167和0.0333。研究发现,梢泄涡仅在较大梢隙宽度条件下的水翼吸力面才出现,而当梢隙宽度较小时在水翼吸力面侧近端壁处形成回流区。吸力面侧回流涡沿流向存活时间较短,而梢泄涡沿流向发展直至水翼尾缘及其下游。在上述两工况间存在着一临界梢隙宽度,使得梢隙流动由回流向梢隙射流转变。     

基于密度泛函理论的单层氢化石墨烯特性分析

本文采用密度泛函理论的第一性原理方法,研究了不同尺寸H-graphene的稳定性、HOMO-LU-MO能隙以及电子激发态.研究结果表明,对于C_(16)H_(10)、C_(30)H_(14)、C_(48)H_(18)、C_(70)H_(22)、C_(96)H_(26)、C_(126)H_(30)计算的比结合能,C_(126)H_(30)相比C_(16)H_(10)的比结合能增长23.9%,且比结合能随着H-graphene尺寸扩大而增加,意味着稳定性不断提高.通过对HOMO-LUMO能隙分析发现,在较小尺寸的H-graphene中,由于量子效应起主要作用,因此出现了较大的HOMO-LUMO能隙,且随着H-graphene团簇尺寸的增加,能隙逐渐缩小可以看出,对于无限大的H-graphene团簇中,HOMO-LUMO能隙无限趋近于零(相当于零带隙),其电子性质与纯石墨烯相似.通过分析C_(16)H_(10)、C_(30)H_(14)、C_(48)H_(18)、C_(70)H_(22)激发态以及了吸收光谱,发现随着尺寸的扩大,吸收光谱发生红移,为石墨烯在电子器件领域的应用提供理论基础.     

电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构调控

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了外电场对PtO2/MoS2范德瓦尔斯异质结电子结构的调控,发现当层间距d=2.83Å时异质结结构最稳定,且表现为Ⅱ型间接带隙半导体,其带隙为0.68 eV。通过施加垂直平面方向电场可有效调控PtO2/MoS2异质结电子结构,当外电场为-1 V/Å时,发生半导体-金属相变。这些研究结果表明PtO2/MoS2异质结在新型二维材料光电纳米器件方面具有广泛应用前景。     

配合物的配位基团性质对CoMo/γ-Al_2O_3催化剂加氢脱硫性能的影响

选择四种不同配位基团的双齿配位分子乙二胺(EN)、乙醇胺(EA)、乙二醇(EG)和丙二酸(MA)对CoMo/γ-Al_2O_3催化剂改性,比较了它们对二苯并噻吩HDS性能的影响。结果表明,其活性顺序为CoMo(EN)CoMo(EA)CoMo(EG)≈CoMo(MA)CoMo,反应以直接脱硫路径为主,随反应温度升高,加氢路径的占比增加,加入配合物后可以促进加氢路径脱硫,CoMo(EN)催化剂具有最高的加氢活性。采用UV-vis、EA、XPS和HRTEM等手段对催化剂进行表征,结果表明,-NH_2与Co~(2+)有强络合作用,-COOH主要是静电作用,而-OH与钴离子没有相互作用。配位基团和Co~(2+)的相互作用,与HDS活性直接相关。配合物与Co~(2+)的结合可以有效生成Co-Mo-S活性相,且配合物碳化减弱载体与活性相的相互作用,有利于生成有更高本征活性的II型活性相。     

有机半导体的电子电离能、亲和势和极化能的密度泛函理论研究

准确预测有机半导体的能级(如电子电离能和亲和势等)对设计新型有机半导体材料和理解相关机理至关重要。从理论计算的角度看,主要挑战来自于缺少一种不仅能够在定性上合理而且在定量上精确预测,同时并不显著增加计算成本的理论方法。本文中,我们证明了通过结合极化连续介质模型(PCM)和"最优调控"区间分离密度泛函方法能够准确预测一系列有机半导体的电子电离能(IP)、亲和势(EA)和极化能,其预测结果与实验数据吻合得很好。重要的是,经过调控后分子的前线分子轨道能量(即-~εHOMO和-~εLUMO)与对应的IP和EA计算值很接近。调控方法的成功可以进一步归因于其能够根据不同分子体系或同种分子所处的不同状态(气态和固态)"最优"地平衡泛函中分别用于描述电子局域化和离域化的作用。相比而言,其它常见的密度泛函方法由于包含的HF%比例过低(如PBE)或过高(如M06HF和未调控的区间分离泛函),均不能给予合理的预测。因此,我们相信这种PCM-调控的方法能够为研究其它更加复杂的有机体系的能级问题提供一种更加可靠和便捷的理论工具。