Effect of Microstructure of TiO2 Thin Films on Optical Band Gap Energy

TiO2 coatings are prepared on fused silica with conventional electron beam evaporation deposition. After annealed at different temperatures for four hours, the spectra and XRD patterns of TiO2 thin film are obtained. XRD patterns reveal that only anatase phase can be observed in TiO2 coatings regardless of the different annealing temperatures, and with the increasing annealing temperature, the grain size gradually increases. The relationship between the energy gap and microstructure of anatase is determined and discussed. The quantum confinement effect is observed that with the increasing grain size of TiO2 thin film, the band gap energy shifts from 3.4 eV to3.21 eV. Moreover, other possible influence of the TiO2 thin-film microstructure, such as surface roughness and thin film absorption, on band gap energy is also expected.     

一种适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围作用下,具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比.     

关于少齿差内啮合实际接触齿数及承载能力的研究

本文研究了渐开线少齿差内啮合的实际接触齿数和承载能力。整理出非正常啮合齿对的间隙计算公式,以及实际接触齿数Z_H和承载能力系数K_6的计算方法。间隙j_n是根据内、外齿廓问的间隙角在基圆上所对应的弧长来确定的。实际接触齿数Z_H由轮齿的法向变形量δ_n与间隙j_n的大小来确定,凡是间隙小于δ_n的齿对都是接触的。由于接触齿时都同时分担载荷,所以少齿差内啮合的承载能力将是普通齿轮传动的K_6倍。K_6的大小与齿数、材料等有关,对于Z_1=30～200的一齿差传动,当轮齿的许用变形量δ_(np)/m=5 μm/mm时,K_6可达1.78～6.48。文中还利用光弹性试验和电测试验的结果对本文介绍的计算方法进行验证,证明计算结果与试验结果基本相符。     

含负折射率材料的一维光子晶体禁带特性

运用光学传输矩阵和色散关系理论,研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的禁带特性,发现了一种新型带隙—零平均折射率带隙。与传统的Bragg带隙相比,只要两种介质厚度的比例保持不变,这种零平均折射率带隙的边缘频率,与光子晶体的晶格常数无关,并利用一个等效的传输线模型得出了带隙边缘频率的数学表达式,解释了这个性质。     

含NO_4五齿配体的一维铜配位聚合物的合成、晶体结构与生物活性(英文)

利用邻氧乙酸苯甲醛与水杨酰肼合成了五齿配体Schiff碱H2L及其一维链状聚合物[(CuL)DMSO]n。产物经元素分析、红外、差热-热重分析及X-射线单晶结构分析等表征。在配位聚合物中Cu(Ⅱ)与配体的羰基氧、亚胺基氮、醚氧基氧及羧基氧配位形成一个O2N2平面,进一步被另一个配体的羧基氧桥联而形成一维配位聚合物。选取6种真菌对配体及其Cu(Ⅱ)配合物进行了抗真菌活性测试,测试结果表明配体及配合物均表现出了一定抗真菌活性。     

三齿多吡啶钴(II)配合物的合成、表征及其与DNA的相互作用研究

合成了两种三齿多吡啶钴(II)配合物 (A)和[Co(H₂Bzimpy)₂]Cl₂ (B), 用元素分析、IR对配合物的组成和结构进行了表征, 测定了配合物A的晶体结构. 用电子吸收光谱、荧光光谱、循环伏安法及凝胶电泳实验等方法研究了配合物与DNA的相互作用. 结果表明配合物A和B与小牛胸腺(CTDNA)的作用属部分插入和静电结合, 凝胶电泳实验表明配合物A在310 nm光辐射15 min, 可使超螺旋pBR322DNA断裂为开环缺口型和线型DNA.     

一种用于高速高精度ADC的电压基准源设计

针对电压基准源对流水线结构的高速高精度ADC的性能影响进行了建模分析,提出了一种低压条件下具有低温度系数和较高电源抑制比的电压基准源电路。该电路采用简单的二阶曲率补偿技术,并加入了PSR提高电路和启动电路。同时给出了采用TSMC 1．8V0．18μm标准CMOS工艺和Hspice仿真软件的仿真结果。     

低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源

提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40～85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。     

一维声子晶体在防止低频噪声中的应用

应用集中质量法研究了集中质量数n、晶格常数a、组分比t、弹性模量E及密度ρ等因素对一维声子晶体带隙的影响.结果表明,带隙起始频率及带宽随a增加而减小,随t增加而快速增大(当t>1);带隙起始频率随两种材料E差值与ρ差值增加而减小,而带隙截止频率却不变;带隙精度则随n增加而增大.据此设计出一种能屏蔽约59～557 Hz范围内低频噪声的复合结构声子晶体.     

一种用于大功率D类功率放大器的快速启动LDO

D类放大器的输出级晶体管始终工作在开关模式,效率很高,在便携式电子领域得到广泛应用.采用CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一款应用于大功率D类放大器的低压差线性稳压器,对其结构和工作原理进行分析,重点讨论了各个关键电路模块的设计,改善了电源抑制比和启动时间.LDO的PSRR为100 dB @ 1 kHz,启动时间18 μs,负载能力225 mA,工作电压范围5.5～18 V,最小压差0.5 V,温度系数54×10-6/℃.