一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源

介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃。     

一个适用于无线内窥镜系统的ASK中频接收机电路

实现了一个适用于无线内窥镜系统的低功耗ASK中频接收机电路.该接收机包括一个用于补偿信道衰减的自动增益控制环、一个ASK解调器和基于能隙基准源的偏置电路,接收机电路已采用0.25μm CMOS工艺实现.测试结果表明,该电路可以从功率在-30～10dBm之间的中频信号中正确解调出数字基带信号,中频工作频率为20MHz.电路采用2.5V电源,消耗的电流仅为2.1mA.     

非费米液体层间隧道作用下的Tc与零温能隙

本文在自旋电荷相统一的非费米液体前提下,同时考虑相一作用Ｖ及层间随着作用ＴＪ,推导出非费米液体层间隧道的超导转变温度Ｔｃ的解析式,给出了临界耦合因子λＴＪｃ,λｃ与α关系式,并且数值计算了零温能隙随ＴＪ及α的变化趋势。     

对已损坏双模数齿轮的判断及加工刀具的改制

对于不常见的双模数圆柱齿轮，特别是在已经损坏，并且没有图纸资料的情况下，可以通过计量测试和必要的计算，判断其采用的齿形标准，所选用的模数及其它参数值。也可以在没有双模数滚齿刀具的情况下，对同有的标准滚齿刀具进行改制加工，满足生产双模数齿轮的需要。     

新型多联吡啶的合成

设计并合成了一种新型配体１，２－二（６”－（６－甲基－４’－苯基－２，２’：６’，２”－三联吡啶基）乙烷，它是由１－（６’－甲基－２’－吡啶基）－３－苯基－２－丙烯－１－酮３与１－（６’－甲基－２’－吡啶基）－羰甲基吡啶碘盐４经改良的Ｋｒｏｈｎｋｅ法先制得取代三联吡啶５，然后在氩气流中，－８０℃与ＬＤＡ，氧化剂１，２－二溴乙烷反应，偶联生成新化合物６。３，４，５，６的结构经元素分析，ＩＲ，ＨＮＭＲ     

a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

光子晶体的带隙破缺随插入介质层变化规律的研究

采用文中图1所示的一维光子晶体的缺陷模,应用光学传输矩阵法,证明了由光子晶体的缺陷结构引起的光子禁带破缺,得出:"f"(禁带破缺处对应的入射光频率)随"nc"(插入介质层的折射率)的增加线性下降,数值模拟了它们的几何图形.并根据f-nc的对应关系提出了一种测量介质折射率的方法.     

一种高精度CMOS能隙基准电压源

设计了一种采用0．6μm CMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源。它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15ppm／℃,输出电压变化率仅为18μV／V。     

Pb1－xMnxSe薄膜的光学特性

采用分子束外延的方法在BaF₂(111)衬底上制备出了高质量的Pb_1-xMn_xSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明，Pb₁-xMn_xSe薄膜为立方相NaCl型结构，没有观察到MnSe相分离现象，薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小，Mn含量由Vegard公式得到.通 关键词： 1-xMn_xSe外延薄膜')" href="#">Pb_1-xMn_xSe外延薄膜 透射光谱 带隙 折射率     

一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究

采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图，以确定最佳的禁带带宽，从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体，介电常数比约为13/1，当填充比为0.16时，计算得禁带带宽为0.2564×2πc/Λ，禁带的中心频率为0.3478×2πc/Λ，与实验数据吻合。