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1三角形在矢量计算中的应用在矢量的合成和分解中,我们应用平行四边形定则进行运算,其实在运算过程中,主要是运用三角形性质解决问题.那么,三角形在矢量运算中,有哪些应用?1.1相似三角形的应用 相似文献
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以相对论多体微扰理论为基础,利用屏蔽理论的思想和方法,引入并改进了与核电荷数Z相关的能量修正函数,计算了CⅠ等电子序列离子(6<=Z<=55)基组态(1s2 2s2 2p2)和第一激发组态(1s2 2s2 2p1)能量.计算过程基于自编的C语言和Mathematica程序,所得结果与实验值符合的很好,大大减小了由于忽略能量高阶项产生的误差,证明此项改进适用于等电子序列离子组态能量的计算. 相似文献
576.
从发现光电效应以来,人们对光与物质的相互作用的研究越来越多,越来越深入。尤其在激光发明以后,光场的强度越来越大,光束的准直性越来越好,人们可以利用它做大量的实验,从而发现了很多新的实验现象,例如阈上电离[1],Kapitza_Dirac效应[2],高阶谐波效应[3]等。这些现象用原有的光电理论已无法解释,从而发展了一些多光子电离的理论,其中以美国SouthernUniversity的郭东升教授及其合作者所发展的非微扰理论较为引人关注。这篇文章将详细介绍郭教授的工作以及相关的实验结果与理论研究的比较,希望人们对多光子领域的研究有更深一步的了解。文章首先介绍光与物质相互作用的理论基础,即Volkov解的得出及其讨论;文章第二部分将对多光子过程进行描述,并用第一部分结果进行一些定性的讨论;第三部分介绍Kapiza_Dirac效应的实验结果与理论研究的比较;第四部分对整个理论体系予以综合评论,以及对强激光和物质作用的理论和实际应用的前景展望。 相似文献
577.
578.
The electric field enhancement properties of an active gold nanoshell with gain material inside have been investigated by using Mie theory. As the gain coefficient of the inner core increases to a critical value, a super-resonance appears in the active gold nanoshell, and enormous enhancements of the electric fields can be found near the surface of the particle. With increasing shell thickness, the critical value of the gain coefficient for the super-resonance of the active gold nanoshell first decreases and then increases, and the corresponding surface enhanced Raman scattering (SERS) enhancement factor (G factor) also first increases and then decreases. The optimized active gold nanoshell can be obtained with an extremely high SERS G factor of the order of 1019-1020. Such an optimized active gold nanoshell possesses a high-efficiency SERS effect and may be useful for single-molecule detection. 相似文献
579.
使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法, 计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性, 分析了其能带结构和电子态分布. 计算结果表明: 2H-SiC平衡晶格参数a 和c随电子温度Te的升高逐渐增大; 电子温度在0–2.25 eV范围内时, 2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体, 当Te超过2.25 eV达到2.5 eV以上时, 2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体; 随着电子温度升高, 导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动, 当电子温度Te大于3.5 eV以后, 价带顶穿越费米能级; 电子温度Te在0–2.0 eV变化时, 带隙随电子温度升高而增大; Te在2.0–3.5 eV范围变化时, 带隙随电子温度升高而快速地减少, 表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度Te的继续升高而增强. 在Te =0, 5.0 eV 处, 计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度. 电子结构表明Te =0 eV 时, 2H-SiC 是一个带隙为2.3 eV的半导体; 在Te =5.0 eV时, 带隙已经消失而呈现出金属特性, 表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强, 晶体经历了一个熔化过程, 过渡到金属状态. 相似文献
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正8月26~30日,第23届北京国际广播电影电视展览会(BIRTV2014)在北京中国国际展览中心隆重举行,存传统媒体与新兴媒体融合发展的大趋势下,这一年的广播电影电视科技创新又有哪些最新进展?广电在媒体融合下会有怎样的发展新思路?BIRTV2014此番人气爆棚的背后究竟有什么秘密,且看笔者带你跑展会。 相似文献