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961.
为了使半导体激光器的电路级模拟更容易,本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SPICE模型,并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究.  相似文献   
962.
提出了一种新的自动压扩方法,适用于基于子波配置方法的模拟电路行为级建模.该压扩方法采用的压扩函数根据模块输入-输出函数的奇异性自动生成,因而这一方法具有通用性,可应用于任意输入-输出函数的电路模块的建模.与已有的建模方法相比,该方法能有效地降低模拟误差并减少使用基函数的个数.  相似文献   
963.
红外探测器高性能读出电路的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种高性能电容反馈跨阻放大器(CTIA)与相关双采样电路(CDS)相结合的红外探测器读出电路。该电路采用CTIA电路实现对微弱电流信号的高精度读出,并通过CDS电路抑制CTIA引入的固定模式噪声(FPN),最后采用失调校正技术减小CDS引入的失调,从而减小了噪声对电路的影响,提高了读出电路的精度。采用特许半导体(Chartered)0.35μm标准CMOS工艺对电路进行流片,测试结果表明:在20pA~10nA范围内该电路功能良好,读出精度可达10bit以上,线性度达97%,达到了设计要求。该读出电路可用于长线列及面阵结构红外探测系统。  相似文献   
964.
探测接收前端是激光告警系统的关键部件,针对数字激光告警系统设计激光脉冲探测接收前端.采用宽带、高增益、低噪声的跨导放大方式实现了对最小来袭激光脉冲产生的10 nA,10 ms的微弱窄脉冲电流的放大,采用放大器饱和方式实现信号的整形,把来袭激光脉冲转换、放大成数字系统能处理的数字脉冲,脉冲宽度代表作用能量大小.前端最小可检测来袭激光信号能量达1μW,动态范围达100 dB.该宽带低噪声跨导放大电路很好地处理了电容对窄脉冲的影响,具有带宽宽(500 MHz),成本低的特点,为放大微弱的ns级及以下的窄脉冲电流信号提供一个很好的宽带方案.该设计结构简单、成本低廉、易于维护,不仅可用于激光来袭探测,还可用于激光安防系统等.  相似文献   
965.
稳频He-Ne激光器中布氏窗片的封接引起的各向异性损耗,是影响激光输出功率的主要因素。采用先进的铟封接技术,可以大大改善稳频管的窗口封接质量,从而减小了腔的损耗,明显地提高了稳频He-Ne激光器的输出功率。  相似文献   
966.
使用ADS软件,对射频电路设计方案进行仿真和优化。通过计算,得到5阶切比雪夫滤波器的LC参数值。将发射机和接收机的阻抗特性导入ADS软件进行阻抗匹配计算,分析得到阻抗匹配电路,提高了发射机的信噪比和接收机的灵敏度。  相似文献   
967.
本文介绍了一种由低次级联形式构成的W波段宽带六倍频器。输入信号先经过MMIC得到二倍频,再由反向并联二极管对平衡结构实现宽带三倍频,从而将Ku波段信号六倍频到W波段。该倍频器的输入端口为玻璃绝缘子同轴转换接头,输出为WR-10标准矩形波导结构。仿真结果表明当输入信号功率为20dBm时,三倍频器在整个W波段的输出三次谐波功率为4.5dBm左右,变频损耗小于17dB。该设计可以降低毫米波设备的主振频率,扩展已有微波信号源的工作频段。  相似文献   
968.
根据电潜泵测试仪的需要,提出一种基于TLV5637数模转换器的电流信号发生器电路设计方法。采用AT89C51模拟SPI通信访问TLV5637,将仪器采集到的数字信号转换为模拟电压信号,再通过电流环电路把模拟电压信号转化成电流信号。详细描述了硬件和软件的具体实现方案,其中包括微控制器与D/A转换器的接口连接与通信,电流环电路和软件基本代码。经过多次实验,结果表明该电流信号发生器能够准确产生所需的电流信号,完全满足仪器的要求并具有很高的精度和通用性。  相似文献   
969.
采用有限元方法从电磁兼容的角度研究低电压差分驱动电路(差分对)的电磁辐射特性随其参数的变化而变化规律.首先简要介绍了差分对差分电流(电压)、共模电流(电压)与差分对两导线电流(电压)的关系,其次分析了差分对完全对称(即不存在共模电流)时其电磁辐射特性与两信号线间距离(耦合度)、与PCB介质层的相对介电常数ε及厚度h、与信号线长度L及宽度W的关系,然后讨论了差分对存在有非对称性(即存在共模电流)时,正常П型匹配端接和仅匹配端接差分信号时系统的电磁辐射特性以及在T型匹配端接中接入交流耦合电容对系统电磁辐射特性的影响.  相似文献   
970.
提出了一种"开路-直通"的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法。和传统的需要配备两个"直通"结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上,只需要使用一个"开路"结构和一个"直通"结构,而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试及去嵌,结果显示,使用该方法测试及去嵌后的精度几乎不受影响。该方法的意义在于能极大地减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积;同时,又减少了测试时间、提高了测试效率,极大地降低了成本。  相似文献   
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