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941.
基于纹理子块的小波变换数字水印算法 总被引:9,自引:3,他引:9
提出了一种基于纹理子块的小波变换数字水印算法,该算法能够依据人眼视觉特性,通过水印图像降维、图像子块划分等措施.将随机置乱的数字水印信息嵌入到高频子带的纹理区内,从而高效率地实现局部水印和全局水印之双重目的。实验结果表明:本文提出的数字水印算法不仅具有较好的透明性,而且对诸如叠加噪声、JPEG压缩、平滑滤波、几何剪切、图像增强、马赛克等攻击均具有较好的鲁棒性。 相似文献
942.
Multisim在高频电路实验中的应用 总被引:1,自引:2,他引:1
针对传统高频电路实验教学中存在的问题,提出在实验教学中引入Multisim进行辅助分析与设计。利用Multisim对高频电路中的典型电路振幅调制及解调、丙类功率放大器进行了仿真研究,其各项结果与理论一致,且可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况。将虚拟实验和传统实验有机结合起来,能更好地提高学生的动手能力和探索精神。 相似文献
943.
944.
我们的影音娱乐生活方式随着网络、数字移动信息化步伐的加快而不断改变,其中的云计算、互联互通与智能控制等新一代科技无疑更成为了主要推动力。音乐产业同样也朝着数字化的方向迈进,人们开始习惯于通过网络数字化的途径来欣赏各种不同类型的音乐,尤其在智能手机与平板电脑盛行的今天。由此而诞生的流媒体播放与微型音视频技术正是当前的热点领域,其中最为火热的当属耳机与微型音视频设备。上期,我们已对各种不同类型的微型显示技术与产品进行了深入的探讨,并指出了无论是头戴式显示还是微型投影设备均向着智能、高清与3D的方向迈进。 相似文献
945.
946.
对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量,并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察,研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。 相似文献
947.
热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。 相似文献
948.
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。 相似文献
949.
950.
改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法 总被引:1,自引:0,他引:1
利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370~ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 ,并且引起拉曼振动峰位的改变 相似文献