a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

常温下LCD工作电压的优化设计

本文从扩大视角范围的角度，研究了工作电压的优比设计。     

多畴STN—LCD的研究

本文用光学模拟计算方法研究了多畴及无序ＳＴＮ－ＬＣＤ的电光特性。从光学角度而言，试图制造无序ＳＴＮ－ＬＣＤ的努力是没有意义的。无论对正性还是对负性显示模式，多畴ＳＴＮ单位象元的畴数量不应超过四个。具有２或４畴的ＳＴＮ－ＬＣＤ确实能够提高视角的均匀性，特别是４畴器件可以获得非常好的视角均匀性，具有一定的研究和开发意义。     

添加碳对BaTiO_3 PTC陶瓷之影响

在ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣ粉体中添加碳粉，可制成多孔性的陶瓷材料，同时对材料的ＰＴＣ特性及批量生产的重现性有明显改进。     

当代多芯片组装技术

与传统的封装技术相比，多芯片组装技术具有更高的封装密度和更优异的性能。多芯片组装技术正在蓬勃发展，归当代的代表性技术。     

用来激励高频超声换能器的电激励源

讨论了超声换能器的几种激励方法，分析了三种常用激励方法在激励高频超声换能器时的特点及其同局限性，我们雪崩ＭＡＲＸ电路制作的单极窄脉冲能地激励率高达１００ＭＨｚ的换能器并取得了较好的结果。     

CYCIAE型回旋加速器负离子剥离引出的光学行为研究

为了CYCIAE型回旋加速器的剥离靶轴线及旋转角的概念设计,必须对负离子剥离后的光学特性进行研究,基于根据CYCIAE型回旋加速器剥离引出特点编制的程序CYCRS,计算了CYCIAE30加速器不同能量束流引出剥离点的位置,并与实际位置进行比较,证明计算所用的理论及方法是正确的,同时,考察了剥离后的束流空间运动的光学特性.在此基础上,确定了CYCIAE70回旋加速器能量为35—70MeV的束流引出剥离点位置.     

球状闪电之谜

 设想有一天,雷鸣电闪,而你正靠在炉边的躺椅上,悠闲地品茶阅报,忽然发现一个西瓜大小,红艳艳的火球已神不知鬼不觉地溜进了你的房间。看着它在空中游荡,你头脑中第一个反应是什么呢?幻觉?鬼魂?或者UFO?还是当成是你的调皮弟弟的恶作剧?而更大的可能是你已经猜到了:这是球状闪电!     

半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用

论述半导体热敏电阻的温敏特性及其在对数放大器中的应用，将其与金属膜电阻的温敏特性相结合，在很宽的温度范围内，使对数放大器的输入－输出特性实现高精密的温度补偿，从而达到很高的运算精度。     

NH4Cl作助熔剂合成CaS：Ce的光谱特性及其浓度效应

以ＮＨ４Ｃｌ作助溶剂，碳还原硫酸钙的方法合成了ＣａＳ：Ｃｅ。在紫外光激发下，ＣａＳ：Ｃｅ中存在着Ｃｅ＾３＋的＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２（５００ｎｍ）和＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２（５５０ｎｍ）跃迁发射，但在蓝色光激发下，只有波峰为５３２ｎｍ半宽度为９２ｎｍ的宽带发射。当Ｃｅ＾３＋的浓度为０．０７５ｍｏｌ％时，＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２跃迁发射强度与＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２跃迁发射强度相等，而５３２ｎｍ发射猝灭。