生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应     

带平台多阶振幅量化的低副瓣口径分布

本文提出了一种带平台多阶振幅量化的低副瓣口径设计方法并论述了其分析方法和计算公式，给出了本文算法与作者（１９９３）提出的“多阶振幅量化方法”在峰值副瓣电平、口径效率、归一化输入功率以及具有容差情况下的副瓣亚化等的计算比较结果，结果表明，在相同的条件下，本文提出的方法优于“多阶振幅量化方法”。     

200AGeVpp、pS和SS碰撞中单奇异粒子产生数据的分析

用相对论性核-核碰撞的蒙特卡罗事件产生器──LUCIAE,分析了200AGeVpp､pS和SS碰撞中单奇异粒子产生的实验数据.结果表明:SS中心碰撞相对于pp或pS最小偏畸事件,似乎有更强的末态相互作用,更短的奇异粒子产生时间,和更大的奇异粒子对压低因子. 从pp到pS再到SS奇异增强的实验事实,似乎不必引入夸克-胶子等离子体就能得到解释.     

带对流的稳态Stefan问题的有限元逼近

关于带有对流情形的稳态Stefan问题,其中假设液相部分的流动由Stokes方程确定,Canon,DiBennedetto,Knightly曾作过理论研究.本文将讨论其有限元逼近问题,并且得到了在合理正则性假设下的误差估计.     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

堵塞效应与“全同带”的微观机制

利用处理推转壳模型的改进了的粒子数守恒方法(严格计及堵塞效应),对原子核的转动惯量进行了计算,计算中无任何自由参数,所得转动惯量(包括¹⁷⁰Yb,¹⁷¹Lu¹⁷¹Yb各转动带)及其奇偶差,与实验非常符合,转动惯量的奇偶差灵敏地依赖于被堵塞的能级位置及其对Coriolis力的响应。