新型基于源极跟随器的零极点型滤波器

提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器。提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器。源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗实现高线性度。利用CMOS0.18μm工艺级联实现了一个4阶切比雪夫Ⅱ型全差分低通滤波器。测试结果表明,滤波器带宽为2.75MHz,实现了带外下陷特性。在2V电源电压下,消耗电流为1.5mA,测得带内IIP3为5dBm。在三次谐波失真(HD3)为-46.3dB条件下滤波器的动态范围为65dB。     

900MHz高频低损耗声表面波滤波器

介绍了在３６°ＹＸＬｉＴａＯ＿３基片上采用镜像阻抗连接换能器结构研究制作出９００ＭＨｚ高频低损耗声表面波滤波器，插入损耗小于５ｄＢ、带外抑制优于５０ｄＢ。     

Multisim在高频电路实验中的应用

针对传统高频电路实验教学中存在的问题,提出在实验教学中引入Multisim进行辅助分析与设计。利用Multisim对高频电路中的典型电路振幅调制及解调、丙类功率放大器进行了仿真研究,其各项结果与理论一致,且可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况。将虚拟实验和传统实验有机结合起来,能更好地提高学生的动手能力和探索精神。     

CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计

研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。     

IGBT驱动模块M57962AL的应用研究

IGBT专用驱动模块M57962AL适于驱动大功率器件，可根据其内部的自保护功能对其应用电路进行安全可靠设计。该模块采用双电源驱动，有过流过压检测电路和保证IGBT可靠通断电路。总之，能够安全地驱动开关、变频器中的大功率IGBT。     

一种互补结型场效应管负阻器件

介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件，并且对该负阻器件的温度特性进行了分析，为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参考。     

部件分解法／高频混合法在复杂目标散射近场预估中的应用

本文结合物理光学（PO）法、几何绕射理论（GTD）、弹跳射线法（SBR）等高频方法和部件分解法,研究了电大尺寸复杂目标的近场散射特性。     

充电器大功率变压器的设计

介绍开关电源高频大功率变压器设计的材料选择、计算方法和过程,并给出了一个充电器大功率变压器的设计实例,实验证明该变压器符合实际要求。     

CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器

陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27 ～ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm.     

CMOS MOCCII高频非理想特性研究

本文用高频小信号等效电路对MOCCII电路进行了分析,提出了vx/vy的双二次模型理论.采用最小二乘法中的最速下降法根据MOCCII的PSPICE仿真曲线对该模型进行最小二乘曲线拟合,得出双二次模型各参数.拟合后曲线与PSPICE仿真曲线在取样点误差的方均根值为10-7数量级:同时对Iz/Ix的单极点模型和Iz-/Ix的双极点模型均进行了最小二乘曲线拟合,得出了模型参数,拟合后曲线与PSPICE仿真曲线在取样点误差的方均根根值为10-5数量级.这些MOCCII(CCII)高频模型在高频滤波器等电路的设计中具有重要的意义.