绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

意力FS 210A 80周年纪念版落地音箱

在撰写过的音箱品牌中，意力是我比较喜欢的一个。可能是由于每个人对音箱以及听音要求有所不同的缘故吧，我较为倾向于声音有鲜活感、技术含量足、工作效率高、无明显频段弱点的音箱。说得更为确切一点，我喜欢听的，是那种密度感高、音色富有光泽、中高频延伸特别有弹性的声音。之所以会形成这样的听音习惯，也许在一定程度上是受到了圈内一些朋友的影响，因为，他们都是“德国声”的拥趸者。     

FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜的微波电磁特性

采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计     

多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点最优性条件

对于含矩阵函数半定约束和多个目标函数的多目标半定规划问题，给出Lagrange函数在弱有效意义下的互补弱鞍点和Geofrrion恰当有效意义下的G-鞍点的定义及其等价定义．然后，在较弱的凸性条件下，利用含矩阵和向量约束的择一性定理，建立多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点充分必要条件．     

高频超声与固体物理

在以往 ,声学只能对物质整体的机械性能提供一些测量方法和数据 ,而对物质微观结构的了解 ,主要是依靠原子物理、分子物理等其他学科 ,声学所能提供的数据甚少。但近几年来 ,随着高频超声技术的迅速发展 ,已使超声在科学研究中的应用范围 ,从一般宏观现象 ,渗透到物质的微观领域 ,并视为研究物质性质的有力工具之一。高频超声指的是频率在10 8～ 10 14 Hz的超声 ,由于 10 8～ 10 12 Hz是在电磁波谱中的微波段、10 12 ～ 10 14 Hz是在光波段。因此称10 8～ 10 12 Hz这个频段的高频超声为微波超声 ,而10 12 ～ 10 14 Hz这个频段的超声为光波…     

简述高频开关电源的使用与维护

本文介绍RST24/30型高频开关电源模块结构,性能,并用具体的技术指标说明,电源模块的性能可靠。     

英飞凌混合动力汽车功率模块提高效率

英飞凌科技股份公司推出了两款面向混合动力汽车（HEV）传动系统的全新电子功率模块HybridPACK1和HybridPACK2。HybridPACK1功率模块用于轻度混合动力汽车，包括用于逆变器和负温度系数电阻的所有功率半导体，这样可使半导体面积降低30％。该模块是结合英飞凌领先的沟槽场终止IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术和Emcon二极管技术进行开发的。对于轻度混合逆变器应用而言，采用高性能陶瓷衬底和英飞凌增强型引线键合工艺的扁平铜基片，