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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
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报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
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探讨分析了阻水纱在干式光缆中的应用、选用原则及其在使用过程中存在的问题.同时提出了相应的解决办法并得出结论。 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2002,39(11):7-12
1 引言请想像这样的景像,用微小的机器干各种活。有的使汽车运行更加平稳安全,免除交通事故中千万人遇难。有的则以每秒数拍(1015比特)速率处理信息,从全球网站为人们下载影视节目。另一些能以前所未有的灵敏度和精确度进行科学测量。晶片大小的化工厂则能在需要的时间和地点制造危险的材料。这样的景像现已出现:我们正生活于其中,这就是现代的硅微机械世界[1]。这个世界在40多年前就由Richard Feynman以惊人的先见所预言,当时晶体三极管仍是刚发明而未被验证的技术,集成电路则在多年后才出现。在其1959年的讲话“底层仍有许多空… 相似文献
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由“从正则分布出发,在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同,但分别由二求得的高次矩并不完全相同。 相似文献
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