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Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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为了保证通信畅通,提高通信质量,对交换机、传输设备和电源设备都提出了更高的要求,其中对电源设备的可靠性要求尤为重要,这是因为,如果电源设备技术指标达不到要求,会使通信质量下降。一旦电源设备出现故障,停止工作,必将使整个通信台站陷于瘫痪。可以说,通信电源是通信台站的“心脏”,在通信台站中占有极为重要的位置。据国外有关资料介绍,通信系统出现的故障有百分之八十是出在电源上,所以对通信电源都应该给予足够的重视。 相似文献
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