航空电子设备用低反射高透射宽视角TFT—LCD

在航空电子设备中应用的液晶显示器，要求在宽视角范围内具有高亮度，低反射，高对比度，良好的色饱和度与灰度识别。本文提出了几种独特的解决办法以达到这些严格的要求。为了减少在下显示器的反射利用等离子体增强ＣＶＤ技术，沉积了光学成像设备公司（ＯＩＳ）专用的多层无机黑矩阵，测得最终显示器的镜射率低于０．６％。利用ＯＩＳ的大开口率ＴＦＴ设计专利，通过提高象素开孔率到大于６５％，以获得高显示亮度与良好的色饱和度     

3255系列新型加速度传感器

<正> 本文介绍的3255系列新型压阻式加速度传感器,是美国EG＆G集团IC传感器公司的新产品,主要用于汽车正面及侧面防冲击气袋系统、军用保险系统、工业振动监控记录仪器等。 结构与原理 该系列传感器由两块芯片组成:一是由硅片经微细加工     

视频编码中的块运动估计算法

在视频压缩的一些国际标准，如Ｈ．２６１，Ｈ．２６３，ＭＰＥＧ０－１，ＭＰＥＧ－２，ＨＤＴＶ中，视频系统编码器的复杂性最主要取决于运动估计。下文以ＭＰＥＧ－２编码器为例，通过计算机模拟实验，得出了一些常用运动估计算法的对比实验结果，以及采用常用的几种匹配函数的对比实验结果。     

上市公司高管薪酬和企业业绩关系研究

本运用我国生物医药上市公司的经验数据考察高管薪酬与企业业绩的关系问题。研究的结果表明高管薪酬水平与企业业绩显正相关，高管团队内的薪酬差距也与企业业绩显正相关，而高管持股则与企业业绩负相关，在统计上不显。因此章建议企业应该考虑股权激励的成本和效果，改善股权激励制度。研究还表明企业追求的目标是规模最大化而不是股东净资产收益率最大化。     

一种低频 空间定向及高灵敏遥感方法研究

本文提出一种低频、空间定向及高灵敏的遥感方法。文中介绍了传感器及其二次仪表设计原理和关键技术。由作者研制的本检测系统,在空气中的定向接收灵敏度,离1米处高达120mV/μPa,比HP4905A型机的输出信噪比高8倍.     

单级A/O程序HSMBR系统性能和亚硝酸型SND

采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%～67.1%提高到83.5%～86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5～1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%～89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化.     

华为宽带村通广覆盖解决方案

通过对全国十几个省中，上百个农村市场的实地调研，华为公司为农村信息化工程量身定制了“三高一低一免除”的宽带村通广覆盖解决方案，实现了宽带网络对农村市场的有效覆盖，达到了适应农村市场的“高带宽、高效率、高可靠、低成本、免维护”的要求。     

周期性分层介质高反射区范围的分析与估计

对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围，提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理，分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性，给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明，高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且，随着分层介质周期单元数的增多，高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后，讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词： 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

锰基合金的反铁磁转变与fct马氏体相变内耗

孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰.