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21.
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。  相似文献   
22.
中西医治疗子宫内膜异位症性不孕的现状   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文综述了近年来现代医学及祖国传统医学对子宫内膜异位症(EMT)导致不孕的发病机理及治疗方面进展的概况。  相似文献   
23.
硅表面上的纳米量子点的自组织生长   总被引:1,自引:1,他引:0  
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景  相似文献   
24.
放射源的辐射指纹能起到标识和鉴别放射性物体的作用.在涉及核弹头不可逆销毁过程的深度核裁军核查中,核弹头的辐射指纹对标识和鉴别裁减下来的核弹头将起到关键作用.预先研究辐射指纹的有关技术,如识别机理的研究,将有助于深度核裁军的核弹头核查技术发展.以实验室放射源为研究对象,探索了类型γ射线能谱指纹的同一性识别机理.类型γ射线指纹识别机理的研究,就是要找出一种合适的方法,以较高的置信度,描述两个正在进行比较的γ射线指纹是否为同一放射源的指纹.采用了谱形比较法,并用谱相似度概念来描述两个指纹的相似程度.在谱形比较思想的指导下,编制了放射源类型指纹识别软件,并通过放射源同一性的识别实验验证了软件的有效性,同时研究了谱相似度随统计涨落和测量条件,如时间、源强和本底等因素的变化情况.研究结果表明:1)用相似度概念来描述两个指纹的相似程度,回答两个待比较的γ射线能谱是否代表同一类型放射源,是切实可行的;2)该识别机理只具备识别放射源类型的能力,而对同一类型、差异甚微的放射源个体还不能识别 关键词: γ射线能谱指纹 辐射指纹 识别机理 核查技术  相似文献   
25.
近年来,羟自由基(^.OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注,但是很少研究^.OH对RNA的氧化损伤。其实,RNA与DNA一样,也是核酸的两大组分之一,也有许多重要功能。所以^.OH攻击RNA也会引起重后果,会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等。为此,我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-PNA这一产生和测定^.OH氧化损伤RNA的化学发光体系,以便加强^.OH氧化损伤RNA的研究。通过对本体系测定条件的研究,得出了本体系最佳组方是:Vit.C,CuSO4,Phen,H2O2和RNA,浓度分别为350μmol/L,55μmol/L,350μmol/L,0.2mol/L和20μg/mL,体系pH为5.5,体系终体积为1mL。随后,利用本体系检测了槲皮素,咖啡酸,黄芩甙和芦丁抗^.OH氧化损伤RNA的作用,发现这四种抗氧化剂均能有效抑制^.OH氧化损伤RNA的分子机理,结果发现,^.OH清除剂硫脲几乎抑制全部发光,推测是因硫脲清除了引发剂^.OH所致;O^-.2清除剂SOD只能抑制小部分发光;^1O2清除剂叠氮化钠和苯甲酸都能抑制绝大部分发光。这些事实提示,^.OH是RNA氧化损伤的引发剂;O^-.2只是导致RNA氧化损伤的次要因素,^1O2才是导致RNA氧化损伤的最主要因素。  相似文献   
26.
刘强  邓勃 《分析化学》1993,21(11):1258-1262
本文应用X-射线衍射,X-射线光电子能谱,俄歇电子能谱和其它一些实验,考察石墨炉升温过程中氟化锗,锗酸钠在石墨探针表面上的形态变化,阐明了它们的原子化机理:GeF2与Na2GeO3首先分解为GeO2,GeO2还原为GeO,后者在>2400K热分解产生自由态的锗原子,GeF2和Na2GeO3的原子化均源于GeO(g)的气相分解。原子化的升温过程中,在1400-2400K GeF2和Na2GeO3都产  相似文献   
27.
张克武 《中国科学A辑》1992,35(3):300-305
本文提出了气体不平衡状态方程,将其移植应用于液体,并导出正常液体导热率方程.经过不同结构类型的110种无机与有机纯质的608个实验值的验证,平均误差为1.75%.显著优于已有方程.  相似文献   
28.
利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器.  相似文献   
29.
30.
掺染料激光介质的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以PMMA为基质,在助溶剂的作用下掺杂激光染料Rh6G制备出了塑料激光介质样品,采用YAG激光器作为泵浦源测试了塑料激光介质的发射光谱,讨论了其激光发射机理。  相似文献   
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