CHBr薄膜制备的初步研究

碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积（LPPCVD）等。近年来，详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺，形成了比较成熟的技术路线与工艺路线，并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。     

Electronic Properties of Red P-Type Tl2S5 Single Crystals

Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found.     

氘氚化锂分解残渣中微量氚的回收

氘作同位素交换气对除氚后的新鲜氘氚化锂残渣[主要成分是硅锂化合物和二氧化硅，渣中含氚约为0．9443mg／g(渣)]中的微量氚进行氚的计量与回收，为氘氚化锂残渣中氚的回收提供技术支持。     

侵彻环境下两种钨合金的细观响应特性

本文实验发现具有较大密度和较高速度的93W钨合金长杆模拟弹的穿靶深度反而比密度较小，速度较低的90W钨合金长杆弹的穿靶深度小．针对这一现象，本文从两种材料在侵彻环境下的细观响应特性的差异上给出了有实验根据的合理分析，结论是90W在侵彻环境下较易于形成绝热剪切带，从而在弹头部发生“自锐化”效应所致．     

简述多单元叠加式馈源的加工方法

介绍某系统发射阵列天线的加工工艺。该天线具有多单元、叠加式、配合面多、尺寸精度要求高、超薄片嗽叭加工易变形、加工难度大等特点。通过试验和论证总结出一种可投入批量生产的工艺方法，阐述了该方法的具体工艺实现和加工过程。     

向列型TFT——LCD的制作新技术

制作技术对于LCD器件性能具有决定性的作用。本文对一些新的TFT—LCD制作技术作了说明。     

广播电视中心技术工艺的设计和实践

本文从理论到实践，较为全面地阐述了广播电视中心建设中技术工艺系统的设计思想、功能设置、技术特点以及可供参考引用的规范和标准。     

上胶工艺及半固化片质量分析

本文阐述了半固化片生产过程中的主要工艺即浸渍胶液的工艺过程及半固化片的表面质量。并分析了产生这些缺陷的因素。     

下一代高速网络中的QOS路由选择

路由是网络支持多媒体业务的关键技术之一，QOS(Quality of Service)路由选择的目的是要选择一条具有足够资源满足对某些度量标准的限制条件的路径。路由选择可以分为单播路由选择和多播路由选择两种，其又包含了三种具体的策略：源端路由选择、分布式路由选择和分级路由选择。本文将具体的讨论QOS路由选择的基本问题和基本策略。