面向对象的弯曲工艺设计知识的描述方法

本文作者建立了一个弯曲级进模工艺设计专家系统。这里主要叙述在弯曲工艺设计专家系统中采用面向对象技术的必要性，弯曲零件几何形状的描述以及工艺设计知识的内部表达方法，最后简述系统知识库的组成。     

一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨

本文从技术和技术管理的角度，研究探讨了一条多电路品种的ＣＭＯＳ科研开发线的运行机制。从多方面阐述了为保持这样一条件研开线高水平，高效益运转所必须考虑的一些基本准则。本文阐述了一种自调整高效运筹法，介绍了该方法的基本要点，运算实例以及与习惯方法相相比较所具有的优点。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

实验设计——连续改进工艺的工具

1 引言人类追求的最终目标是尽可能不犯错误达到成功。同样,在工业环境中,我们要尽可能无缺陷地生产出高质量高可靠的产品。例如,在莫托罗拉的6σ计划中,目标就是为了将本公司产品的次品率降低至3～4ppm以下。这不仅是生产过程的目标,而且也是公司内人们所做的一切事情的目标,包括:经营决策、行政管理、用工制度、人力资源开发、产品设计和工艺设计、所有的进货验收和出厂检验、以及每一项对产品有影响的活动。该计划的最终目的是为了真正做到使“所有的用户都满意”。     

面向汽车全套串行EEPROM设备

Integrated Silicon Solution(ISSI)公司面向汽车市场推出全套系列的串行电可擦除只读存储器设备。新产品系列覆盖的范围从1K至64K，支持12C、Microwire与SPI接口协议。新设备由中芯半导体(SMIC)采用0．35微米工艺技术生产，可使待机功耗减少25％，并使SPI设备的速度增至10MHz，可用于各种需要存储独特代码或用户界定代码的汽车应用，包括遥控门锁、带记忆的电动座椅与车镜、无线电设备、里程表及报警系统。     

CSP工艺生产微钛钢中的碳氮化物析出相

在钢中添加一定量的Ti可以提高钢的力学性能。细小的TiN弥散粒子可起到一些有利作用。例如，TiN粒子可以细化钢的铸态组织；减少有害夹杂物的析出；提高奥氏体粗化温度；防止形成过大的奥氏体晶粒等。