联合式电路保护有助于防止损坏DVB网络设备

随着广播、电信和IT业的融合，未来的电话和数字电视都将成为互联网上的应用，这样就需要采用新型的客户端设备（CPE）和网络基础设施，以适应更高数据传输速率的要求，并满足新出现的DVB—T／S／C标准以及符合当前和提议中的通讯要求。     

利用激光锤敲击系统打造“长寿”金属

据统计，金属部件80％以上的损坏是由疲劳引起的。在外力的反复作用下，金属会产生疲劳状态，从而酿成严重后果，如火车颠覆、飞机失事等。科学家一直在寻找锻造高耐久性金属的方法。最近，美国劳伦斯利弗摩尔国家实验室研制出一种“激光锤敲击系统”，可制造出“不知疲倦”的长寿金属。     

利用机载SAR图像仿真星载SAR图像

简要介绍了现有的SAR图像仿真方法,提出了一种利用机载SAR图像进行星载SAR图像仿真的方法,对仿真原理进行了阐述,着重研究了图像几何特性、空间分辨率、噪声特性、辐射特性仿真的数学模型及设计流程,最后进行了计算机仿真。结果分析表明得到的仿真图像具有较高的逼真度,该星载SAR图像仿真方法是有效的。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

Ku波段10W功率PHEMT

报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。     

高维电报方程的对称周期解

讨论n维电报方程的对称周期解．利用Schauder不动点定理，在非共振条件下给出了一个存在性定理．     

微机电系统及其应用

1 引言请想像这样的景像，用微小的机器干各种活。有的使汽车运行更加平稳安全，免除交通事故中千万人遇难。有的则以每秒数拍（1015比特）速率处理信息，从全球网站为人们下载影视节目。另一些能以前所未有的灵敏度和精确度进行科学测量。晶片大小的化工厂则能在需要的时间和地点制造危险的材料。这样的景像现已出现：我们正生活于其中，这就是现代的硅微机械世界[1]。这个世界在40多年前就由Richard Feynman以惊人的先见所预言，当时晶体三极管仍是刚发明而未被验证的技术，集成电路则在多年后才出现。在其1959年的讲话“底层仍有许多空…     

系综分布和它的小涨落近似

由“从正则分布出发，在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同，但分别由二求得的高次矩并不完全相同。     

非磁杂质对高Tc超导电性的影响

本文证明了在氧化物高T_c超导体的Anderson晶格模型中,由于序参量是能量的函数,非磁掺杂也具有拆对效应,在稀掺杂情况下,求出了T_c随杂质浓度增加而线性下降的规律,与实验结果相符,文中还计算了掺杂对超导态密度中能隙的影响,结果表明,当非磁掺杂浓度增加时,零温能隙的减小比T_c的下降慢得多,从而在转变为正常态之前可能不出现类似通常BCS超导体磁性掺杂的无能隙区。 关键词：