高能激光光束质量的评价方法

分析常用光束质量定义用于评价高能激光时的局限性。考虑高能激光系统的组成,由激光器出射光束到高能激光发射系统出口光束以及考虑大气对高能激光作用后靶面上形成光斑的光束质量的评价、层层推进给出高能激光在能量空间输运应用中光束质量的评价方法,依据该套评价方法可以将影响高能激光系统光束质量的各个因素分离出来,便于高能激光系统的试验研究及发展。     

高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.结果表明计算得到的损伤分布与TRIM96模拟的损伤分布完全符合;实验结果表明MeV Er+注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关.随着退火温度的变化,注入剂量为5×1014/cm2及其以上的样品存在反常退火行为.     

高能激光武器的最新进展

本文概述了目前正在大力发展的将于本世纪末下世纪初陆续部署使用的第一代普通型化学激光武器,和着眼于未来20－30年而发展的第二代节能型激光武器。     

HPM雷达概念研究

现代战争的特点是以远程点穴式精确打击为主,辅以反辐射导弹、电子干扰等手段。巡航导弹、反辐射导弹、电子战飞机均向智能化、信息化方向发展。探讨和研究微波高能武器的概念与特点,对未来防空组网提供新的技术支是本文的目的。     

国外激光反卫星技术发展综述

为了有效对抗军事卫星,先进国家已经开展了反卫星激光武器的研制,并具备初步的反卫星能力.作者对国外激光反卫星技术的发展现状加以综述.     

美国高能激光武器的发展战略(上篇)

首先介绍了美国高能激光武器的发展战略和高层技术路线(上篇)。然后分别评述了近一年来机载战区激光武器、战术高能激光武器和机载战术激光武器、天基激光武器、地基激光反卫星武器和舰载激光武器取得的重大进展,分析和讨论了它们面临的技术挑战和可能采取的对策(下篇)。     

金属材料中高能重离子辐照效应的理论描述

简要介绍了高能重离子在金属材料中引起辐照效应的主要理论 ,特别是与电子能损引起的缺陷产生与演化、离子潜径迹形成、辐照相变以及各向异性塑性形变等效应相应的理论描述.Experimental results showed that, for high energy heavy ion irradiations, electronic energy loss could play a dominant role in damage process in solid materials. In order to explain the experimental phenomena and results, a series of theoretical models based on Coulomb explosion or thermal spike mechanisms have been proposed. In the present paper, more attention was paid to theoretical expressions of high energy heavy ion irradiation induced effects in metallic materials ...     

激光武器反卫星技术研究

针对激光武器反卫星的机理进行分析和研究,得出两个结论:激光武器摧毁空间目标具有速度快、攻击空域广的特点,利用激光的光效应和高能热效应,直接照射卫星可以破坏其光电探测器,从而破坏敌方的卫星装置;建立了卫星探测器的一维热模型,在对探测器材料的破坏阈值进行理论计算的基础上,利用CW COIL辐照PV型InSb探测器对破坏阈值进行实验研究,二者数据吻合较好。     

舰载激光武器的发展历程及趋势分析

舰载激光武器作为常规舰载武器的有益补充,已经受到世界各国的普遍关注。本文介绍了舰载激光武器的发展历程,系统阐述了舰载激光武器系统的组成及功能,并分析了它们的主要技术特点及关键技术。最后,论述了舰载激光武器的发展动向,指出自由电子激光器和光纤激光器是未来舰载激光武器的发展重点,而低能、小体积重量的激光器也会逐步用于舰载激光武器,未来舰载激光武器会向小型化、高效率方向发展。     

分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析

介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用。