一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

锰基合金的反铁磁转变与fct马氏体相变内耗

孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰.     

FR-4型覆铜板层压成型技术探讨

覆铜板压制成型是在层压机上完成的,粘结变为粘流态。随着温度逐步升高,树脂开始发生固化反应,粘度逐步增大。当到达凝胶点时,粘度迅速增大。双氰胺是一种潜状型固化剂,在有促进剂存在下60℃开始缓慢和环氧树脂起固化反应,到达120℃以后,反应速度加快,到150～155℃反应达高峰。在此过程中,高分子物逐步交联固化,高分子物由粘流态转     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

低速高电荷态离子40Ar16+与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16 入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.     

甚薄型QFN封装技术

近年来，移动通信和移动计算领域的便携式电子机器市场火爆，直接推动了小型封装和高密度组装技术的发展；同时，也对小型封装技术提出一系列严格的要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小（尤其是封装高度小于1mm），封装后的连接可靠性尽可能提高，适应无铅化焊接（保护环境）和力图降低成本。如今的便携式电子机器对器件封装要求果真这样严格吗？其实，说不定你手里的第三代蜂窝电话手机已用到甚薄型QFN封装结构。这种手机上的显示板采用电源LSI和数码相机里电动机驱动用智能化功率LSI电路等的封装，要求确实十分严格。幸好，这些电路…     

单线对高比特率数字用户线(SHDSL)简介

介绍单线对高比特率数字用户线（SHDSL）设备的应用环境、参考模型、接口类型、功能、传输性能等等。     

高加速应力筛选(HASS)概述

高加速应力筛选（HASS）是一种新兴的试验技术，用于产品的生产阶段。在暴露和剔除产品的制造和工艺缺陷，提高可靠性，降低野外失败和返修率等方面非常有效。从研究开发HASS的背景出发，介绍了HASS的目的及作用，重点探讨了高加速的基本原理，典型的HASS过程。     

改进形态学相关算法以识别高相似度灰度图像

从形态学角度定义了灰度联合图像相似度，提出两种基于位表示法形态学相关算法的改进算法，通过提取位表示法的图像片边缘特征或二元化位表示法的图像片功率谱，以提高位表示法形态学相关算法对高相似度灰度图像的识别能力。     

自动化合成技术解决了功耗过高的问题

我们以硬件和软件的形式来设计用于为明年面市的3G蜂窝电话提供能源的、基于32位RISC微控制器的平台。对这些器件而言,功率是关注的焦点。尽管微控制器件中关键功能块的客户化设计对我们实现最佳的功率、性能和电路板面积设计目标提供了帮助,但