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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
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报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2002,39(11):7-12
1 引言请想像这样的景像,用微小的机器干各种活。有的使汽车运行更加平稳安全,免除交通事故中千万人遇难。有的则以每秒数拍(1015比特)速率处理信息,从全球网站为人们下载影视节目。另一些能以前所未有的灵敏度和精确度进行科学测量。晶片大小的化工厂则能在需要的时间和地点制造危险的材料。这样的景像现已出现:我们正生活于其中,这就是现代的硅微机械世界[1]。这个世界在40多年前就由Richard Feynman以惊人的先见所预言,当时晶体三极管仍是刚发明而未被验证的技术,集成电路则在多年后才出现。在其1959年的讲话“底层仍有许多空… 相似文献
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由“从正则分布出发,在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同,但分别由二求得的高次矩并不完全相同。 相似文献
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1概述我国各省卫视的卫星地球站中有 10多个省配备了大功率速调管高功放 ,其额定输出功率达3k W,河南卫星广播电视地球站也配备了两台美国 Varian公司的 VZJ 2 70 0 M型速调管高功放 ,一台发射信号上星 ,另一台做热备份 ,两者互为主备倒换 ,如图1所示。随着传输手段的压缩数字化 ,上行发射所需要的功率由原来的 10 0 W降到了 10 W,这使原本为传输模拟信号所选用的速调管高功放显现出了一些和缺点不适应地方 :燈耗电量大 ,每台 14k W;燈工作效率低 ,正常时仅需输出 10 W功率 ;燈故障率相对较高 ,如控制盘电源损坏等故障 ;燈速调管已超过… 相似文献
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高温超导体的临界电流密度(Jc)的温度,磁场和取向关系特性Jc(T,B,θ)及其维度效应,是高温超导电性的中心课题。近几年取得了一系列重要结果。本文对此加以评述。 相似文献
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