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91.
对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围,提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理,分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性,给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明,高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且,随着分层介质周期单元数的增多,高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后,讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系.
关键词:
分层介质
带隙特性
周期单元
高反射区 相似文献
92.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
93.
孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰. 相似文献
94.
95.
96.
单线对高比特率数字用户线(SHDSL)简介 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍单线对高比特率数字用户线(SHDSL)设备的应用环境、参考模型、接口类型、功能、传输性能等等。 相似文献
97.
高加速应力筛选(HASS)概述 总被引:4,自引:1,他引:3
林震 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(6):57-61
高加速应力筛选(HASS)是一种新兴的试验技术,用于产品的生产阶段。在暴露和剔除产品的制造和工艺缺陷,提高可靠性,降低野外失败和返修率等方面非常有效。从研究开发HASS的背景出发,介绍了HASS的目的及作用,重点探讨了高加速的基本原理,典型的HASS过程。 相似文献
98.
改进形态学相关算法以识别高相似度灰度图像 总被引:3,自引:3,他引:0
从形态学角度定义了灰度联合图像相似度,提出两种基于位表示法形态学相关算法的改进算法,通过提取位表示法的图像片边缘特征或二元化位表示法的图像片功率谱,以提高位表示法形态学相关算法对高相似度灰度图像的识别能力。 相似文献
99.
100.