逐像素调制的高反光表面三维测量方法

高反光表面的三维面形测量是光学三维测量领域的难题之一,本文提出一种基于逐像素调制的高反光表面三维测量方法,可解决光学三维测量中因过度曝光而导致的相位信息无法获取的问题。首先,通过投影最大灰度值的灰度图识别饱和像素点的位置;然后,依据投影低灰度下横纵条纹图进行过饱和区域坐标匹配,并结合一种新的相机-投影仪强度映射关系,逐像素求解过饱和像素点的最佳投影灰度值;最后,投影重新生成自适应条纹投影序列,并结合多频外差相移法用于相位恢复和三维重建。实验结果表明：所提方法的间距平均误差和标准偏差均小于文中其他方法所得的测量值,相对于传统方法,该方法的平均误差减少了61.9%,标准偏差减少了67.7%。本文所提方法的调制度高,速度快,能保证很高的测量精度。     

光纤设备机架线缆及后背板连络线通断测试系统简介

介绍微机自动控制扫描测试系统在进行光纤通信设备的机架线缆及子后挂板连络线通断测试时的功能、原理和测试方法。     

多量子垒结构的有效势垒分析

对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性；而随垒宽的增加，ＭＱＢ有效垒高趋于Ｕ０，并不具振荡特性。单ＭＱＢ结构的有效垒高对阱宽较敏感，混合ＭＱＢ更有利于工艺的实现。     

高准确度(±1℃)温度检测器改善了系统性能和可靠性

趋向日益密集的计算能力之发展已经增大了与热量有关的挑战。在很多系统中,冷却系统的能力对整体性能构成了很大的限制。标准冷却组件(笨重的散热器和耗费大量功率、充满噪声的风扇、或安静但昂贵的风扇)会给组件排列紧密的电子产品增加了     

电工所在高性能石墨烯基超级电容器研究中取得进展

正超级电容器作为新型储能器件,具有功率密度高、充电时间短、使用寿命长等优点,但其能量密度一直受限于电极材料的性能。中科院电工研究所马衍伟课题组通过金属镁热还原二氧化碳气体,成功制备出富含孔道结构的石墨烯电极材料。基于此石墨烯研制的超级电容器,在水系和有机电解液中表现出优异的功率特性和循环寿命,在功率密     

连续时间Σ-Δ模数转换器系列

在高效提供宽带宽和高动态范围的同时大幅降低了系统复杂度AD926x的静态电阻输入结构消除了对驱动放大器的需要,而高阶过采样连续时间环路滤波器则衰减了带外信号,因此无须较大的基带滤波器和其他     

应用于血迹检测的高光谱成像技术研究综述

血迹作为暴力案件现场出现率较高的生物检材,其检验鉴定工作可为案件的快速侦破提供大量信息.高光谱成像技术可对案发现场的血迹检材进行无损、快速成像,相比于检测血迹的化学试剂法和传统的光谱分析方法,高光谱成像技术具有图谱合一的显著优势.在简要分析高光谱成像特点、数据表达方式和数据处理方法的基础上,介绍了高光谱成像技术在国防、...     

基于双极型晶体管的温度传感器

提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压,采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度,同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真,结果表明,在-55～125℃的温度范围内,温度传感器的温度系数为11.2 m V/℃,误差在-0.8～0.8℃。     

利用相位和强度调制器产生高消光比超短光脉冲

提出了一种产生高消光比超短光脉冲的新方法.利用相位调制器调制连续光生成啾啁光,而后利用M-Z强度调制器的倍频调制抑制对压缩不利的啁啾部分的影响,再通过等效啁啾光纤光栅进行压缩产生光脉冲.理论和仿真结果表明,该方法可以很好地消除光脉冲的基底及减小旁辦,产生消光比大于30 dB、波形理想的光脉冲,具有很强的可实现性.最后利用实际制作的色散系数为-380 ps/nm的等效啁啾光纤光栅对该方法进行了实验验证,结果表明,在重复频率为2.5 GHz、相位调制系数为9时,可产生脉宽小于18 ps的高质量光脉冲.     

一种改进EE_HEMT电容方程的GaN HEMT器件模型

在传统的EE_HEMT模型基础上,通过修改电容方程,得到一个新的可适用于GaN HEMT器件的模型。新电容模型主要通过tanh函数拟合和的变化趋势。在ICCAP软件中,完成新模型参数的提取;在ADS软件中,完成S参数仿真和负载牵引仿真,并与实测结果进行了对比,最大功率点性能拟合效果得到改善。文中描述的新模型,可在一定程度上提高GaN HEMT模型仿真精度。