超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

低速高电荷态离子40Ar16+与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16 入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.     

单线对高比特率数字用户线(SHDSL)简介

介绍单线对高比特率数字用户线（SHDSL）设备的应用环境、参考模型、接口类型、功能、传输性能等等。     

高加速应力筛选(HASS)概述

高加速应力筛选（HASS）是一种新兴的试验技术，用于产品的生产阶段。在暴露和剔除产品的制造和工艺缺陷，提高可靠性，降低野外失败和返修率等方面非常有效。从研究开发HASS的背景出发，介绍了HASS的目的及作用，重点探讨了高加速的基本原理，典型的HASS过程。     

改进形态学相关算法以识别高相似度灰度图像

从形态学角度定义了灰度联合图像相似度，提出两种基于位表示法形态学相关算法的改进算法，通过提取位表示法的图像片边缘特征或二元化位表示法的图像片功率谱，以提高位表示法形态学相关算法对高相似度灰度图像的识别能力。     

自动化合成技术解决了功耗过高的问题

我们以硬件和软件的形式来设计用于为明年面市的3G蜂窝电话提供能源的、基于32位RISC微控制器的平台。对这些器件而言,功率是关注的焦点。尽管微控制器件中关键功能块的客户化设计对我们实现最佳的功率、性能和电路板面积设计目标提供了帮助,但     

应用LiNbO_3声表面波驱动的全光纤声光频移器

介绍一种工作在10.7MHz的全光纤声光频移器.它由在LiNbO_3基片上制作的叉指电极换能器产生的声表面波驱动.当驱动电功率1.5W时,频移光转换效率达35％.     

验电笔的妙用

<正> 验电笔又称试电笔、测电笔、验电器等。它有高压型和低压型之分,外形上有钢笔式、改锥式(螺丝刀式)和组合式等数种。本文介绍低压型验电笔的正确使用方法和特殊运用技巧。 一、验电笔的结构与功能 最常见的验电笔的外形与结构如图1所示。笔头和笔卡均由金属材料制成,因为它们必须直接传导测试回路的工作电流,还要求具有一定的刚性。位于笔头和氖管之间的电阻则用于限制测试回路中的电流,以确保人身(操作者)和氖管的安全。氖管的作用是以发光的形式显现被检验物体的带电程度,氖管内部充有稀薄的氖气,在其轴线上安放着两根分别与氖管两端铜帽相连的电极,两电极相距很近,只要加上60V左右的电压就将形成氖气导电,发出桔红色的辉