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金属包覆平板波导模式特性的有限元法分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用有限元法(FEM)分析了具有复数折射率的金属包覆介质波导的模折射率与模场分布情况。计算了具有损耗层的6层介质平板波导模折射率,并与解析解比较,二者有较好的一致性;分析了金属包覆3层平板波导中TM模折射率与波导芯厚度的变化关系,计算了金属包覆5层平板波导中TM模折秧经与金属层厚度的变化关系,并结合对模场分布的分析对模式进行了定性判断,给出了其模式演变过程。 相似文献
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综述了环氧树脂基的PCB与无铅化组装的兼容性问题。经过大量试验表明,常规的FR-4基材和双氰胺固化的高Tg基材是不能满足无铅化组装要求的,而采用酚醛固化的中等-Tg的环氧树脂基材是可能成为无铅化组装用基材的。同时,PCB制造过程也起着重要的作用。PCB设计和再(回)流焊的加热梯度也影响着无铅化的性能。 相似文献
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Boris Golubovic 《世界电子元器件》2006,(9):64-66
随着广播、电信和IT业的融合,未来的电话和数字电视都将成为互联网上的应用,这样就需要采用新型的客户端设备(CPE)和网络基础设施,以适应更高数据传输速率的要求,并满足新出现的DVB—T/S/C标准以及符合当前和提议中的通讯要求。 相似文献
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Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献