浅谈光发射机功率的确定

1光链路的设计原则（1）光缆自身损耗，根据光发射机到各个分前端或小区的光缆长度计算出各条光缆的损耗。（2）计算出光分路器每个输出口的分光比。（3）计算每条光链路损耗。（4）确定光接收机的输入光功率。（5）根据每条光链路损耗和相应的光接收机的输入光功率，选择合适的光发射机。     

更换放大模块,让淘汰光接收机继续发挥作用

我局在第一轮HFC网改造中，购进了一批光接收机（以下简称“光机”），如图1所示。 该机在-1dBm光功率接收时（当时设计值也是-1dBm），最高输出电平为94dBμV。当时每个光接收机的后面一般要带6～7级放大器，用这种机型是符合实际情况的。随着网络的发展，光节点覆盖范围越来越小，目前光接收机的后面最多带一级放大器。     

XDSL信号测试专用虚拟频谱仪的设计

功率谱密度是通信信号非常重要的参数，所以在通信的各个阶段都需要对功率谱密度进行测量。在接入网产品的开发中，有多个产品要同时进行开发，因此需要多台频谱分析仪。然而，频谱分析仪属于贵重仪器，配备多台频谱分析仪将导致开发成本增加。虚拟仪器的出现解决了这一问题。这里给出了XDSL接入产品测试专用的虚拟频谱分析仪设计的方法，实践表明，它具有功能齐全价格低廉的优势，作为传统频谱分析仪的替代，虚拟频谱分析仪能够极大的降低仪器的投资。     

CPM系统中的均衡器设计及其DSP实现方案

介绍了一种在CPM系统中适用的均衡方案，判决反馈均衡（DFE）的原理，并通过MATLAB仿真对该方案和线性均衡（LE）的优缺点进行了比较，最后给出了该种均衡方法在DSP中的实现方案，在此基础上选择了一种针对CPM系统实用的均衡系统。     

Ka频段6W固态集成功率合成放大器的设计

提出一种采用双对极鳍线.微带过渡的Ka频段2×2波导基功率合成结构,借助谱域法分析了其电磁特性.在整个Ka频段内实测背对背插损小于0.9dB,回波损耗优于12.0dB.组合四块功率单片制作的功率合成器在32～36GHz频率范围内实测指标为:最大饱和输出功率为6W;增益波动±1.21dB:平均合成效率估计为82%.     

多用户OFDM系统中高效的资源分配算法

在多用户正交频分复用（MU-OFDM）系统中，为了降低系统性能损失和最小化总发射功率，文中提出了一种改进的、具有自适应能力的高效子载波分配和功率分配算法。该算法具有更好的性能和近似于已有算法的计算复杂度，而且通过仿真结果得到了证明。     

优化功率在便携式应用中的挑战

便携式产品电源管理面临挑战 便携式应用产品的外形尺寸日趋小巧轻薄，但其糅合的功能却愈来愈多。这个趋势所衍生的需求是有效管理功率及减少板上的元件数目。为了应付这个挑战，半导体供应商在这个市场区间担当了不可或缺的角色。半导体供应商必须集成最好的低功率和高功率器件，并致力在低输出功率和待机状态下实现高效率。这种集成可以通过于一块基板或平台上整合所有器件，或者把所有器件集成在一个封装里作为混合电路来实现。由于便携式产品采用的外形尺寸越来越小，开关频率因此不断增加。随着开关频率提高，无源器件的尺寸则会减小。半导体供应商需要好好管理这个高频，正是它才实现了较小型的无源器件使用，从而实现尺寸更小的总体解决方案（其成本也可能更低）。最后，2．5G和3G的RF无线器件是“线性”（linear）的，故在低功率时很容易受低效率影响。由此可见，半导体供应商必需提供能在低功率时增加系统效率的功率管理芯片。     

从安培级分辨出微安级的电流 将RSENSE减小99％

我们的LTC 6102零漂移高压侧电流检测放大器具有能够从安培级的负载电流中分辨出微安级电流的精度。您不需要超高的分辨率？那么LTC6102可通过采用一个减小了99％的检测电阻器来提供与其他“精准”电流检测放大器相当的分辨率。检测电阻的减小意味著负载将获得更多的功率以及功率损耗的下降。选择最大的分辨率、还是选择最小的RSENSE、或是两者之间的结合——这完全由您来决定。     

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.     

一种100dB输出动态范围的1.5bit功率数模转换器

介绍了一种1.5bit的双声道过采样数模转换器.它把过采样数模转换器和D类功率放大器这两部分集成在一起,不需要额外的低通滤波器即可直接驱动耳机扬声器等语音设备.它无需消耗直流功耗,对于常用的8Ω扬声器负载,其最大输出功率可达436mW,输出动态范围大于100dB.该电路采用TSMC 0.18μm工艺实现.芯片面积为0.28mm2,其中数字电路的电源电压为1.8V,D类功率放大器的电源电压为3.3V.