为大功率和混合动力汽车优化的负载突降保护器件

汽车负载突降保护的重要性 今天，汽车中并联在供电线路上的许多电子控制器和设备与三、四十年前生产的汽车有了很大的不同。那时汽车中的唯一的电子设备就是汽车收音机。     

EBPSK调制信号功率谱分析

调制技术对数据传输效率有重要意义.提出EBPSK调制方法,推导了其功率谱解析表达式,给出EBPSK在不同调制指数时功率谱理论值与仿真结果,验证了理论分析的正确性.同时,揭示了EBPSK已调信号功率谱随调制角变化的规律;并对功率谱、频谱效率及其与抗干扰性能关系进行了分析.     

智能功率技术的最新进展和市场动向

评述了智能功率技术最近的进展及市场动向，虽然目前的电力半导体芯片都是硅制成的，但最近的分析表明，ＳｉＣ等其他的半导体材料也可能将来会代替硅。     

单腔并行双器件功率合成理论与实验研究

本文对一种毫米波单腔并行双器件功率合成器进行了理论和实验研究。分析并计算了矩形波导腔内两只并行振荡器件的外电路阻抗,给出了一些对设计、开发该功率合成器非常有用的数值结果。在36.0GHz频率附近,单腔并行双Gunn器件功率合成器的实验结果为:合成输出功率约400mW,合成效率高于95.5％,大于100mW输出的机械调谐带宽近1.5GHz。     

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入     

硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

一种最小均方卷积反演方法

本文提出一种最小均方卷积反演方法,其解偏离真解的均方误差为最小。从而有效地抑制了数据误差的影响。     

宽带大功率固态微波器件及其军事应用

简要介绍了宽带大功率固态微波器件的军用领域及技术要求以及固态器件的种类，当前水平及相关技术状况。     

有源诱骗系统抗反辐射导弹

反辐射导弹是雷达系统的最大威胁，抗反辐射导弹攻击是雷达系统面临的重要问题之一。本文分析了多点相非相干有源诱骗系统，推导出多点非相干有源诱骗系统的功率质心是反辐射导弹的瞄准点，并进一步讨论了多点非相干有源诱骗系统的选择。