华为宽带村通广覆盖解决方案

通过对全国十几个省中，上百个农村市场的实地调研，华为公司为农村信息化工程量身定制了“三高一低一免除”的宽带村通广覆盖解决方案，实现了宽带网络对农村市场的有效覆盖，达到了适应农村市场的“高带宽、高效率、高可靠、低成本、免维护”的要求。     

浅谈电视灯光与舞台灯光技术上的区别

从电视和舞台灯光的发展看，电视比舞台要年轻得多，作为它们重要表现形式——光效语言来说，电视灯光是从舞台灯光、电影灯光吸取经验和成果。舞台作为一种镜框式结构把节目直接展现于观众面前，而电视是在荧屏上综合各种艺术与电子技术手段于一体的声画传播艺术。     

周期性分层介质高反射区范围的分析与估计

对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围，提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理，分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性，给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明，高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且，随着分层介质周期单元数的增多，高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后，讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词： 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

锰基合金的反铁磁转变与fct马氏体相变内耗

孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰.     

巧用摄像机的时间代码设定功能

在工作中,许多电视工作者常常为录像带断磁、时间码的不连续等问题所困惑。其实这一问题并不难解决,只要在前期拍摄中正确设定时码,在后期制作中巧妙运用时码,就会起到事半功倍的效果,在此给大家介绍一下以供参考。     

机器视觉及其应用(系列讲座)第二讲图像采集技术——机器视觉的基础

图像采集是机器视觉系统的基础,因为获取相应质量的图像,是对图像进行处理与分析的前提.该文是<机器视觉机器应用>系列讲座中第二部分,重点讨论了采像4个环节的内容、核心、以及对采集到的图像质量的影响.并分别讨论了光源、光学系统(镜头)、CCD摄像机、图像采集卡以及特殊或最新的图像采集技术与产品.     

超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流

用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.     

低速高电荷态离子40Ar16+与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16 入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.     

单线对高比特率数字用户线(SHDSL)简介

介绍单线对高比特率数字用户线（SHDSL）设备的应用环境、参考模型、接口类型、功能、传输性能等等。