一种0.13 μm CMOS多模信道选择滤波器的设计

设计了一款应用于多模多频无线接收机中的新型有源电阻电容信道选择滤波器,截止频率可在0.3～10MHz之间切换,满足UHF RFID、TD-SCDMA、WLAN a/b/g等不同标准的要求。运算放大器设计采用无电容前馈补偿技术,增益带宽积提升至4.8GHz。滤波器采用5阶Leapfrog滤波器级联2阶Tow-Thomas滤波器结构,使截止频率不易受器件变化的影响,同时兼顾稳定性和可调性。电路采用IBM 0.13μm CMOS工艺流片。测试结果表明,在2.5V电源电压下选择10MHz带宽时,滤波器消耗13.56mA电流,在两倍截止频率处实现64dB的衰减,带内噪声系数为28dB,带内纹波小于0.2dB,带内输入3阶交调为11.5dBm。     

多层空气隙Cu互连结构耦合电容的优化

随着超大规模集成电路特征尺寸不断缩小,多层cu互连之间的RC延迟成为一个越来越严重的问题.由于低介电常数(low-k)材料配合空气隙(air gap)结构可用于降低Cu互连导线间的耦合电容从而改善RC延迟特性,建立了单层和多层空气隙Cu互连结构的有限元分析模型,以研究空气隙结构尺寸与互连介质等效介电常数的关系.结果表明,在单层空气隙Cu互连结构中,通过增加互连导线间空气隙的结构尺寸可以减小Cu互连结构中的耦合电容,进而改善RC延迟特性;在多层空气隙Cu互连结构中,通过改变IMD和ILD中空气隙的尺寸结构可以得到RC延迟性能优化的多层空气隙Cu互连结构.     

压印技术制备超高密度Si_2Sb_2Te_5基相变存储阵列

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。     

超级电容器均压方法的研究

超级电容器组单体电压不均衡会造成单体使用寿命的缩短、储能密度的降低以及系统可靠性的下降。针对超级电容器组单体电压不均衡的缺陷,介绍了一种新颖的电压均衡电路,该电路电荷的转移不通过超级电容,同时也不需要对超级电容两端的电压进行测量,从而明显降低了系统的复杂性。详细分析了均衡电路的工作原理,并对均衡电路进行了实验测试,实验结果证明该电压均衡电路结构简单、均压速度快且易于实现。     

100kvar可控硅整流器模块

TSM-LC100可控硅整流器模块是为400V电压时高达100kvar的电容性负载而设计。由于采用微处理器控制,模块无须使用电抗器即可自动适应电容器支路,亦可处理高达14％的失谐,并且还可处理440V应用时高达7％的失谐。免维护和无声工作的半导体开关允许低至5ms的开关时间。带风扇的主动温控冷却能够保证充分散热。     

振镜结构对精度和速度的影响

从振镜的本体结构，使用材料和电容位置传感器三方面来讨论了对其精度和速度的影响     

一种新型三谐振点电容式RF MEMS开关

给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFM EM S开关的设计和制作研究。分析表明,当开关的上电极为多支撑梁结构时,需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现,通过适当的参数选择,可以获得多谐振点开关,不仅可以在多个频段适用,并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RF MEMS开关,并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为:驱动电压为7 V,“开”态的插入损耗为0.69 dB@10.4 GHz,“关”态的隔离度为30.8 dB@10.4 GHz,其微波性能在0~13.5 GH z频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。     

传输线电容参数提取中的奇异性处理方法

传输线电容参数提取过程中需要计算导体上的电量,而在电量计算过程中普遍存在着角点的奇异性问题.本文给出了角点附近区域电势分布的数学模型,通过采用有限级数逼近该数学模型的解析解提出了一种新的电量计算方法,并进行了级数逼近的误差分析.本文算法克服了邓肯矫正需要选择角点积分区域的不足,有效地校正了导体角点奇异性引起的电容参数提取的计算误差,最后给出了算法的数值实验与分析结果.     

寄生电容

寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容．但由于布线构之间总是有互容,互感就好像是寄生在布线之间的一样．所以叫寄生电容。     

新型莫来石瓷在高密度封装中的应用

描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高速、超高速集成电路使用要求的高性能封装。