低温下使用的金刚石对顶砧高压盒和显微光谱系统

自Bridgeman发明套筒活塞高压装置以来,特别是引入金刚石压砧后,高压物理学发展迅速。这种金刚石对顶砧压力盒,简称为DAC,为研究高压下材料的光学性质提供了极大的方便。为进行高压低温研究,目前国内都是将压机浸入液氮中,或向DAC喷浇液氮。这样只能在77K恒温,且必须取出压机后才能加压。     

电真空器件用氧化铝陶瓷的介电性能

对影响氧化铝陶瓷介电性能(介电常数、介电损耗和介电强度)的各种因素进行了较为系统的评述,并对相应的影响机理进行了分析和探讨.希望能为电真空用氧化铝陶瓷的质量控制和检验提供理论依据,同时也为工艺方法(包括材料工艺和电真空器件工艺)的选择提供有益的技术参考.     

同步辐射在高压研究中的应用

简述了高压研究和科学意义和同步辐射在高压研究中的应用，介绍了国内外同步辐射在高压研究中的应用情况及研究方法。     

高压供电彩色电视机的改进

高压供电彩色电视机的改进贵州石阡县谭大勋目前国内有一部分进口彩色电视机（如三洋７９机芯），采用＋２２０Ｖ电源电压，且用串联型稳压电源，功耗很大，电压适应范围窄。对很多器件的耐压要求高，特别是行输出管，行变压器很难和普通机型互换。国内配件奇缺，故有些机...     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

三星真空荧光图形显示屏应用系统设计

介绍了三星真空荧光图形显示屏（VFD）的特点，并以MCS51单片机控制VFD显示屏为例，介绍了VFD的使用方法及汉字显示程序的设计实现方法。该模块用于雷达状态记录仪中，证明具有良好的显示效果。     

薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.     

固体模块在真空粗抽控制电路中的应用

叙述了固体电子模块在真空粗抽泵、阀控制电路中的应用及其原理；同时还介绍一种在断电瞬间利用不同电器瞬态过程时差来改变继电器锁定状态的保护电路。     

Adsorption of L-Alanine on Cu（111） Studied by Scanning Tunnelling Microscopy

The adsorption of L-alanine on Cu（111） surface is studied by means of scanning tunnelling microscopy under ultra-high vacuum conditions. The results show that the adsorbates are chemisorbed on the surface, and can form a two-dimensional gas phase, chain phase and solid phase, depending on deposition rate and amount. The adsorbed molecules can be imaged as individual protrusions and parallel chains in gas and chain phases respectively. It is also found that alanine can form （2 × 2） superstructure on Cu（111） and copper step facet to （110） directions in solid phase. On the basis of our scanning tunnelling microscopic images, a model is proposed for the Cu（111）（2 ×2）-alanine superstructure. In the model, we point out the close link between （110）-direction hydrogen bond chains with the same direction copper step faceting.