从电真空器件两用技术浅析军民融合式发展

我国微波电真空器件经过十几年的快速发展,成果显著,有力地保障了武器装备的需求。近年来随着固态器件的发展和竞争,电真空器件军品需求增长速度出现放缓趋势,电真空器件研制生产企业面临发展瓶颈。作者对国内外微波电真空器件领域的两用技术的发展历史和现状进行了对比分析,从军民融合发展的角度阐述了电真空器件军民相容、军民相济、持续快速发展的必要性和紧迫性。作者还指出:必须在思想、体制和制度方面进行持续变革,通过规划发展战略、专项支持等手段,实现电真空器件军民两用技术有效融合,并实现可持续发展。     

超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究

针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm²,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。     

近太赫兹频段功率源技术发展与应用

太赫兹辐射源是太赫兹技术应用的基础。简要介绍了太赫兹辐射源的类型和发展现状,重点论述了近太赫兹频 段功率器件,主要包括折叠波导行波管、扩展互作用速调管、回旋管、返波器件等。分析了不同应用场景对太赫兹功率 器件的需求,论证相关器件在雷达、预警探测、航天测控等国防装备领域系统的应用。     

基于SPR生物传感器的抗菌中药药效评价方法研究

目的：为抗菌中药药效进行实时检测,对药效评价给出定量分析。方法系采用真空热蒸镀法镀金属银膜制作出一种光纤SPR生物传感器,感测抗菌中药作用过程中抗原与抗体各个参数变化,为药效评价提供数据依据。该传感器的应用具有快速、客观、准确、高效的实时检测功能,为抗菌中药药效定量评价提供了依据。光纤SPR生物传感器的应用为抗菌中药药效评价给出了定量依据,有望最终用于指导临床准确应用抗菌中药。     

一种可靠、高效、灵活的数据中心机房供电解决方案

随着中国移动数据业务迅速发展,中国移动各地数据机房将陆续建设,如何合理设置机房供电系统,对节能、节地都起着至关重要的作用。本文结合新技术的应用,提出了一种靠、高效、灵活的数据中心机房供电解决方案。     

关于断路器常见故障查找方法及原因的探析

社会经济不断发展,带动了各行各业的进步与发展。人们生产与生活用电量急剧增加,对于电力系统提出了更多、更高的要求。在电力系统中,高压断路器有着非常重要的作用,不仅可以闭合或者切断高压电路中的负荷电流与空载电流,并且在系统发生故障的情况下,其能够有效的切断过负荷电流以及短路电流。所以,其运行的质量在很大程度上影响着线路以及用电设备的运行。本文重点就高压断路器运行阶段比较常见的问题进行分析,进而查找出其中存在的共性以及处理方式,希望能够促进高压设备维护水平的进一步提高,从而为电力系统的安全稳定运行奠定坚实的基础。     

10~220kV高压设备安装施工安全及质量控制研究

做好电气隔离开关安装施工作业,不仅能够确保电路安全运行,而且还能够在一定程度上提高供电质量。本文在介绍10~220k V电气隔离开关安装施工中常用技术的基础上,重点就10~220k V高压设备安装施工安全及质量控制进行了研究。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。     

BaHfO3：Ce粉体活化能对烧结透光性影响

用正、反向共沉淀法制备了BaHfO₃：Ce粒子;用XRD、TG-DTA、SEM等测试手段对样品的物相、形貌及发光性能进行了表征;在不同升温速率条件下研究了粒子合成动力学。结果表明：由正向和反向沉淀法得到的前驱体物相变化分3个阶段,用Doyle-Ozawa和Kissinger法分别计算了各阶段的表观活化能,其平均值分别为83.41、61.70、262.11kJ·mol^-1和81.70、42.86、253.44kJ·mol^-1,计算正反向沉淀法样品的晶粒生长活化能分别为27.36kJ·mol^-1和23.07kJ·mol^-1;反向法的样品分别在530nm波长下的激发光谱和399nm波长的发射光谱的相对发光强度优于正向法,在2073K真空烧结保温3h获得具有一定透光性的BaHfO₃：Ce透明陶瓷。     

密闭高压消解–ICP–AES测定进口铜精矿中铅、镉、汞、砷

采用密闭高压消解法对样品进行消解,用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP–AES)测定进口铜精矿中的铅、镉、砷、汞有害元素。铅、镉、砷、汞的工作曲线分别在0~10,0~1,0~4,0~0.6μg/mL范围内线性良好,线性相关系数大于0.999。各元素加标回收率均为91.0%~104.7%,相对标准偏差均小于3%(n=7)。将密闭高压消解法与电热板加热法和微波消解法进行了比对分析,结果显示,密闭高压消解–ICP–AES法适合用于铜精矿样品的消解与测定。