关于方程x＋RF‘（x）x＋1／L（x）=p（t）的周期解

利用了Ｍａｗｈｉｎ＾「２」提出的延拓定理,给出的高压输电网设计中的一类方程的周期解的存在性。     

肺动脉高压2013：分类与治疗的新趋势

2013年2月,在法国尼斯召开了第五届世界肺高血压论坛。在这次大会上,肺动脉高压（PAH）的临床分类和治疗有诸多变化,现介绍如下。     

车载低温高压氢存储技术现状及分析

低温高压氢作为一种新型的高密度储氢技术,近年来成为研究和应用领域的热点。对比了常见的商用储氢方式,总结了低温高压氢存储的优势及储罐基本结构,通过低温高压氢加注特性、新型轻质高强度复合材料和低温绝热等关键技术问题的分析,指出开展低温树脂、纤维、金属内胆的协同研究,降低日蒸发率,实现随机工况下低温高压氢无损加注及低温高压氢的安全问题是未来的研究重点。     

高压消解-紫外分光光度法测定红花中的重金属

采用高压消解-紫外分光光度法,建立了测定淮红花中的重金属含量的方法。结果表明:此法铅含量在0—40μg范围内,与吸光度线性关系良好,r=0.9989。淮红花中重金属含量为18.71μg/g,符合国家标准,平均加标回收率为97.82%,RSD=2.93%(n=5)。高压消解法的使用,进一步提高了测定方法的准确性和便捷性,此法可用于中药中重金属含量的检测。     

纳米尺寸的ZnO晶体高压相变的拉曼散射研究(英文)

Weperformedthehigh-pressureRaman measurementofthethreenanosizedZnOcrystals. Wefoundthesmallerthesize,thehigherthe pressuretoinducethephasetransitionfrom w櫣rzitetorock-saltstructure. High-pressureRamanmeasurementsof nona-shapedZnOcrystalswerepreformed.The…     

Dy3+/Tm3+共掺杂钒磷酸钇的共沉淀法合成及光谱性质

以Y2O3、Dy2O3、Tm2O3、V2O5、(NH4)2GPO4为原料,采用共沉淀化学法合成了体色纯白的Dy^3 、Tm^3 共掺杂YP1-xVxO4荧光粉。对合成荧光粉的V^5 ／p^5 、Dy^3 ／Tm^3 摩尔比等条件进行了研究。利用SEM、变温紫外激光激发下的发射光谱及紫外激发下的发射光谱,对所合成的粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。YP1-xVxO4：Dy^3 ,Tm^3 荧光粉在325nm紫外激光激发下,低温时存在基质VO4^3-的蓝色宽带发射,随着温度升高,VO4^3 吸收的激发能量更有效地传递给Dy^3 、Tm^3 ,使其发光逐渐增强;在254nm的紫外光激发下,YP1-xVxO4：Dy^3 ,Tm^3 荧光粉发白光,是一种潜在的二基色高压汞灯用荧光粉。     

一种直接测量W-J参数的实验方法

本文探索了一种直接测量W-J参数的方法. 实验选用NaCl作为试样, 在快速压缩过程中原位测量样品的温度和压力的变化值. 通过温度修正使测量值在原理上更符合等熵压缩过程的结果, 并采用大幅度增压结合中值定理得出中点压力处温度随压力的变化率, 进而根据R=(P/T) (∂T/∂P)_S关系式求出W-J参数, 整个过程没有引入其他参数. 此外, 作为对比, 我们还从相关的物态方程、经验公式和已知参数出发计算了NaCl的W-J参数及其随压力变化的关系. 结果表明: 实验测得的NaCl的W-J参数随压力增加而增加; 实验结果与计算值符合得很好. 这说明快速增压直接测量物质的W-J参数是一种可行且可靠的方法. 关键词： NaCl W-J参数 快速增压 高压     

氧化锌的高压电子结构、光学性质与电性能的理论研究北大核心CSCD

基于密度泛函理论从头计算法,研究了500GPa外压力条件下纤锌矿结构ZnO氧化物的晶格结构、电子结构、光学性质和导电性能。计算分析结果表明,在500GPa外压力下,ZnO氧化物的晶格对称性保持不变,晶格参数减小,Zn—O键长和O—Zn—O键角均减小,但不同方向上材料的可压缩性不同;ZnO氧化物的带隙类型仍为直接带隙,其宽度增加到1.65eV;费米能级附近的能级数量减少,态密度降低,电子在不同能量区域的局域化趋势明显;ZnO氧化物的光吸收向高能量范围扩展,低能量光学吸收降低,高能量光吸收增强。分析结果表明,500GPa的外压力下,ZnO氧化物费米能级附近的载流子浓度、有效质量和迁移速率均降低,其电性能降低。     

Effects of High Pressure on BC3

High-pressure phases of BC3 are studied within the local density approximation under the density functional theory framework. When the pressure reaches 20 GPa, the layered BC3 that is a semiconductor at ambient pressure, becomes metallic. As the pressure increases, the material changes into a network structure at about 35 GPa. To understand the mechanism of phase transitions, band structure and density of states are discussed. With the increase of pressure, the width of bands broadens and the dispersion of bands enlarges. Additionally, the density of states of the network bears great resemblance to that of diamond. Formation of the sp3 bonding in the network is the main reason for the structural transformation at 35 GPa.