Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的结构与形貌分析

采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献   

以气相氢原子活化金刚石附氢（111）面的分子轨道方法研究

在低压化学气相沉积条件下，金刚石附氢表面脱氢势垒的大小是金刚石薄膜生长动力学的重要理论参数，前人用不同方法对该势垒值的计算给出了很不一致的理论结果，本文应用多种分子轨道方法对金刚石附氢（１１１）面的脱氢势垒进行了系统研究，比较了各方法计算的过滤态结构，给出了修正的理论预言值，并论证了不同分子轨道方法计算结果的优劣，评价了前人不相一致的理论结果。     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内H Balmer系的H_α,H_σ和H_γ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ_1/2(H_α)<△λ_1/2(H_β)<△λ_1/2(H_γ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由H_α线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈10¹⁷cm^-3,电子温度T≈40 000K。由H_β线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。 关键词：     

一种新的Eu3+配合物有机薄膜电致发光

自从C. W. Tang[1]百次发表高效、高亮度双层结构有机薄膜电致发光(EL)器件以来,由于其驱动电压低、可做成大面积及制作工艺简单等优点,使其在平板显示和显像领域具有巨大应用潜力而成为研究热点.可是大多数有机小分子和聚合物材料制作的有机薄膜电致发光器件的发射光谱谱带很宽,半高宽一般在100nm-200nm,色纯度不好,不利于显示和显像.于是寻找场致发光谱带窄、亮度高的有机材料就显得非常重要.     

二苯醚系高分子单体的新合成路线

二苯醚系高分子单体的新合成路线张志强，田正华（鞍山钢铁学院化工系，ｌｌ４００２）４，４’─二苯醚二甲酸，４，４’─二氨基二苯醚，３，３＇４，４’─二苯醚四甲酸二酐等取代二苯醚是一类重要的高分子单体，用于制备聚酰胺、聚酰亚胺和聚芳酯，在耐高温塑料、液晶...     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

X射线衍射φ旋转及其应用

介绍了Ｘ射线衍射φ旋转方法，结合具体实例说明了该方法在单晶片全方位定向、研究生长薄膜层与衬底的取向关系、研究生长薄膜层中缺陷、以及在该系统辅助下应用非对称θ－２θ衍射技术研究生长层与衬底界面晶格失配方的应用。