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121.
The dynamic behaviour of spiral tip in the light-sensitive Belousov-Zhabotinsky reaction under the influence of an externally applied light gradient was experimentally studied. The gradient causes different drifts for different spiral patterns. The centre of the spiral wave moved toward the region of lower light intensity. The direction of an additional perpendicular drift depended on the chirality of the spiral wave. The dependences of the drifting angle and the drifting velocity on light gradient have been measured. 相似文献
122.
综述了环氧树脂基的PCB与无铅化组装的兼容性问题。经过大量试验表明,常规的FR-4基材和双氰胺固化的高Tg基材是不能满足无铅化组装要求的,而采用酚醛固化的中等-Tg的环氧树脂基材是可能成为无铅化组装用基材的。同时,PCB制造过程也起着重要的作用。PCB设计和再(回)流焊的加热梯度也影响着无铅化的性能。 相似文献
123.
124.
125.
126.
Boris Golubovic 《世界电子元器件》2006,(9):64-66
随着广播、电信和IT业的融合,未来的电话和数字电视都将成为互联网上的应用,这样就需要采用新型的客户端设备(CPE)和网络基础设施,以适应更高数据传输速率的要求,并满足新出现的DVB—T/S/C标准以及符合当前和提议中的通讯要求。 相似文献
127.
128.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
129.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
130.
激光器问世不久,美国光学公司(American Optical Corporation)于1963年首先提出了光纤激光器和放大器的构思。1966年,高锟和Hockham对光纤及其在光纤通信中的应用提出了划时代的新观点。1970年,光纤的传输特性达到了实际应用的水平,同年也实现了半导体激光器室温下连续工作。这两大科技成果为光纤通信奠定了坚实的技术基础。 相似文献