MOSFET驱动电路分析与设计

文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。     

驱动12个LED的3端口微控制器

图1中的电路基于以前出版的设计实例(参考文献1),仅用3条I/O线路来驱动12个LED.在本应用中,电路充当电动车引擎的转速计,并在一组排列成直线或圆弧形LED上显示引擎相对速度.     

Vishay推出汽车照明功率表面贴装LED

日前，Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装，该封装专为提供低至290K／W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化，可实现高达70mA的高驱动电流，从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。     

ST LED5000:850kHz固定开关频率3A LED驱动方案

ST公司的LED5000是850k Hz固定开关频率单片降压DC/DC转换控制器,驱动电流可高达3A,PWM LED亮度调光,输入电压5.5V~48V,±3%输出电流精度。主要用于高亮度LED驱动、街灯照明、信号标志牌和通用照明等应用。200mV典型RSENSE压降可以提高效率。得益于高开关频率及其与陶瓷输出电容器的兼容性,使整个器件达到较小化。该设备完全防止过热、过流、输出短路。LED5000为HSOP8封装。     

全光纤电流互感器光源控制

随着智能电网建设的不断深入,全光纤电流互感器日益成为研究重点,其稳定性问题也逐渐受到人们关注。通过研究全光纤电流互感器中的光源稳定性问题,针对影响其稳定性的温度和驱动电流这2个主要因素设计了不同的解决方案。在温度控制方面,提出2种温控电路设计方案,最后根据实际需求采用数字式温控电路。在驱动电流控制方面,基于传统控制方案,设计了一种基于光源光功率调节驱动电流的方案,并对两者进行了实验论证。实验结果表明新的方案提高了互感器光源的可靠性和稳定性。     

静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响

对几组本工程中心研制的Si衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70 mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V.研究对比了1 000 V范围内的静电对Si衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析.结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响.     

SiGe SOI CMOS特性分析与优化设计

基于全耗尽SOI CMOS工艺，建立了具有SiGe沟道的SOI MOS器件结构模型，并利用ISE TCAD器件模拟软件，对SiGe SOl CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明，引入SiGe沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导（当Ge组分为0．3时，驱动电流提高39．3％，跨导提高38．4％），CMOS电路的速度显著提高；在一定的Ge总量下，改变Ge的分布，当沟道区呈正向递减式分布时，电路速度最快。     

光谱吸收法光纤甲烷传感器性能的研究

针对单光源光谱吸收法检测甲烷气体体积分数存在很多测量误差现状，本文首先分析了用发光二极管(LED)做光源时驱动电流抖动造成的测量误差，提出了补偿此电流抖动误差以及测量环境背景光干扰误差的双波长测量方法，简述了其测量原理，重点针对双波长方法从理论上推导了其测量误差通用公式，在此基础上分析并数值模拟了温度变化导致的测量误差，给出了减小双波长温度测量误差建议．研究结果对于其他强度调制型光纤传感器具有普遍的适用价值．     

LED、照明及指示灯

3W三色LED 3W Moonstone红、绿、蓝三色LED ASMT-MT00提供了108lm光度输出,并且可以独立控制,满足装饰、零售以及墙面照明的设计需求。 ASMT-MT00 在同一封装内安排三个独立的LED, 每颗芯片都可以承受350m A的驱动     

具有I~2C总线结构的发光二极管驱动集成电路LV5217GP

<正> LV5217GP 是三洋公司的又一款应用于手机和电话机的具有 I~2C 总线结构的发光二极管驱动电路,它也是采用了双CMOS 技术的大规模集成电路。LV5217GP 内置有三路 LED 驱动电路,可以同时驱动三个 LED 发光,并且每一路 LED 驱动电