机械球磨硒非晶化的XAFS研究

利用低温EXAFS和XANES方法研究了晶态Se在机械球磨过程中的结构变化—结果显示在球磨过程中引入链状分子间的中程无序，破坏了分子间的结合，而分子内Se原子以共价键结合，不易被打破．     

钴基非晶丝发动机转速测量仪

基于钴基非晶丝优异的巨磁阻抗特性,采用STM32F407单片机为信号处理和控制系统,设计了发动机转速测量仪。主要包括钴基非晶丝探头,多谐振荡电路,放大电路,电源电路和液晶显示。运行试验表明,仪器结构简单,工作可靠稳定。     

HoP5O14非晶的上转换发光动力学研究

频率上转换现象的研究发展于 ９０年代，这是由于 ＢａＹ２Ｆ８， ＢａＹＹｂＦ８， ＺＢＬＡＮ， ＲｅＰ５Ｏ１４； ＹＬＩＦ４等激光新材料的迅速发展和激光新技术的开拓特别是半导体激光器的迅猛发展．激光二极管泵浦的固体激光器件以其特有的高效、紧凑、稳定、长寿命和全固态等优点，迅速成为国际上激光技术发展的重点，带动了固体激光研究的复兴．在半导体激光器的迅猛发展中，其输出功率的提高以及每瓦售价的降低速度是最令人吃惊的，这也特别使频率上转换激光器的研究和开发应用充满了活力． 本文选择固定 ＤＣＭ染料激光波长分别为…     

钨/低活化钢钎焊用铁基非晶钎料与接头微结构

为了连接W和CLF-1 RAFM钢,设计出由低活化元素组成的Fe-B-Si、Fe-B-Si-Sn、Fe-B-Si-Cr-(Sn)、Fe-B-Si-P-(Cr,Sn)、Fe-B-Si-Mn-(Ga,Sn)和Fe-B-Si-(Cr,Mn,Ga,Ta,Sn)系列Fe基非晶钎料,结合熔体快淬技术制备出非晶合金箔带,并对W/CLF-1 RAFM钢接头微结构进行了对比研究。采用X-射线衍射仪对箔带样品与焊缝进行了相鉴定;通过差热分析测量了非晶箔带的熔化温度和液相线温度;利用光学金相和电子探针分析了焊缝组织形貌和元素分布。结果表明,利用Fe-B-Si、Fe-B-Si-Cr和Fe-B-Si-Mn-Sn非晶钎料可获得结构完整的W/CLF-1钢接头;前两种钎料得到的焊缝组织基体相为α-Fe固溶体,而含Mn钎料形成的焊缝基体为马氏体组织;在高温钎焊过程中,这些Fe基非晶钎料中的高B含量促使FeWB、FeW2B2和Fe3B型金属间化合物在焊缝中形成,并有效地阻止了W元素向低活化钢基体长程扩散。所设计的低活化Fe基非晶钎料可用于W和低活化钢的连接和接头性能研究。     

B元素添加对FePBCCu合金非晶形成能力、磁性能和力学性能的影响

铁基非晶合金因其低矫顽力、高磁导率和低铁耗等被广泛应用于变压器、电抗器等电力电子领域,然而,较低的饱和磁感值限制了其进一步应用.铁含量增大可有效提高合金的饱和磁感,但相应非磁性元素含量的降低又将引起合金非晶形成能力的下降,导致后续纳米晶带材的软磁性能及弯折韧性的恶化.针对上述问题,文章基于金属-类金属间的杂化作用,通过原子百分比为7%的B替代P,利用单辊甩带法制备了厚度约为25μm的FePBCCu非晶薄带,并研究了B添加对薄带非晶形成能力、磁性能和力学性能的影响.热动力学行为揭示出小原子B添加能够降低合金结构的异质性,有效提高非晶基体的热稳定性;熔化与凝固曲线表明B元素能够促使合金系接近共晶成分且具有较大的过冷度.因此合金的非晶形成能力显著提高,其临界厚度从基体的约21μm提高到约30μm. B添加促使合金系磁性原子有效磁矩的增大,导致非晶薄带的饱和磁感值增大.纳米压痕实验结果表明, B添加合金的约化模量值较大且在一个较小范围内波动,这与合金的结构均匀性密切相关.     

Al_2O_3衬底上制备非晶碳薄膜及其场发射特性研究

在Al2O3陶瓷衬底上用直流磁控溅射技术沉积过渡层Mo,再利用微波等离子体化学沉积系统在Mo过渡层上制备非晶碳薄膜,利用X线衍射(XRD)、拉曼(Raman)和电镜扫描(SEM)技术分析了薄膜的结构和表面形貌,测试了所制备样品的场发射及其发光特性,研究了薄膜的场发射特性。结果表明,所制备的薄膜为非晶碳和Mo2C的复合薄膜。所制备的薄膜具有较好的场发射特性,开启场强为0.74V/μm,1.8V/μm的场强下发射电流密度达到6 800μA/cm2,且发光点分布均匀,利用迭代法计算了所制备薄膜的有效场发射面积和其功函数。     

基底表面纳米织构对非晶四面体碳膜结构和摩擦特性的影响研究

本文利用离子束表面改性技术对基底表面进行不同时间的轰击, 形成不同规则的纳米织构, 对不同织构的变化规律进行了研究, 同时, 利用磁过滤真空阴极电弧技术, 在具有不同纳米织构的各基底上沉积相同时间的四面体非晶碳薄膜. 采用原子力显微镜对各基底的织构进行形貌分析, 结果表明, 高能粒子束的轰击对基底表面形貌有较大的影响, 根据离子束轰击时间的不同, 可以在基底表面形成各种不同规则的纳米织构, 轰击15 min后发现基底表面形成点阵纳米织构, 之后随着时间的增加, 基本维持点阵结构. 通过X射线光电子能谱仪和摩擦磨损试验仪对沉积在具有不同织构的基底上的ta-C薄膜进行测试, 研究表明, 基底表面纳米织构的非晶层结构引起薄膜内部sp³键的含量降低, 释放了薄膜的内应力, 同时发现基底表面纳米织构将ta-C薄膜磨损时间从不足10 min提高到约70 min, 有效提高了薄膜的耐磨性.