磁环中非晶丝的阻抗效应分析

依据Landau-Lifshitz阻尼项和Gilbert阻尼项的磁矩转动方程,提出统一形式的磁化率张量表达式.基于等效磁导率将非晶丝中各向异性的电磁场求解问题转化为等效的各向同性问题,进而分析了套在绝缘磁环或导电磁环中非晶丝的阻抗.采用基于有限元的数值方法仿真磁环中非晶丝的阻抗,仿真结果验证了理论分析结论.理论分析和仿真实验均表明,外磁体的附加阻抗将严重降低阻抗变化率,破坏巨磁阻抗特性.为此,提出采用回路形式降低附加阻抗的方法,并基于仿真实验验证了该方法的有效性. 关键词： 巨磁阻抗效应 非晶材料 Maxwell方程 有限元     

SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200 nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20 nm、50 nm、60 nm、70 nm、90 nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1 h.采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散谱仪(EDS)对IGZO薄膜的微观结构及成分进行研究.研究结果表明,退火后无覆盖层的IGZO膜层仍为非晶状态,70 nm以上SiNX覆盖层下的IGZO薄膜不发生晶化.与此不同,20～60 nm的SiNX覆盖层下IGZO膜层与SiNX覆盖层的界面处存在纳米凸起柱,使IGZO薄膜与SiNX覆盖层的接触界面脱离,此厚度的SiNX覆盖层具有诱导非晶IGZO薄膜晶化的作用,IGZO膜层内部的晶粒直径约10 nm.成分分析结果表明,结晶处In原子含量增加,IGZO薄膜中In原子的局域团聚是IGZO薄膜发生晶化的原因.     

一种基于表面势的非晶态InGaZnO薄膜晶体管核心紧凑模型

考虑非晶态铟镓氧化锌薄膜晶体管(Amorphous InGaZnO thin film transistors,a-InGaZnO TFTs)指数分布的带尾态和深能态,基于表面势的显式解,建立了a-InGaZnO TFTs的核心紧凑模型。解析地求解泊松方程,得到表面势的显式解,与数值迭代算法的计算结果进行比较,其绝对误差小于10-5 V,且提高了计算效率;利用高斯定理与薄层电荷模型,推导漏源电流的解析解;最后对漏电流实验数据进行拟合,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确预测a-InGaZnO TFTs的漏电流特性。提出的紧凑模型适用于电路仿真应用。     

非晶合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9的激波晶化及其特征

 研究了非晶合金Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉（FINEMET）的激波晶化。与退火晶化比较,激波晶化具有一系列鲜明特征,这些特征是固态下扩散性相变理论难以解释的,有深刻的物理内涵。     

纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶间非晶相结构弛豫与模量的振荡变化

关键词：     

大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶态合金晶化的影响

本文研究了大冷变形对化学镀Ni-Sn-P非晶合金晶化的影响,结果表明,冷变形促进了晶化,不仅降低了Ni-Sn-P非晶合金的热稳定性,而且在冷变形过程中就有晶化产生.     

激光熔覆Ni-Cr-B-Si-C合金涂层显微组织的透射电镜研究

激光熔覆Ni-Cr-B-Si-C合金涂层组织由块状CrB型硼碳化物,树枝状Cr7C3型碳化物,胞枝状γ-Ni固溶体以及共晶产物组成。依局部成份条件,形成γ-Ni M23C6共晶和γ-Ni 镍硼化物共晶。熔覆过程的非平衡性质导致γ-Ni/Ni3B稳定凝固和γ-Ni/Ni2B亚稳定凝固并存。受快速凝固引起的热应力所致在Cr7C3和M23C6中发生高密度孪生。此外,涂层中存在非晶相,由非晶相包围的γ-Ni固溶体形成调制结构。     

ZL111铝合金表面Ni-Cr-Al激光熔覆层中的非晶组织

利用５ｋＷＣＯ２激光器激光熔覆铝合金表面的Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ涂层,ＳＥＭ与ＴＥＭ分析结果表明,在激光熔覆层中存在有非晶组织,非晶组织呈空间扭曲薄片或杉叶状,它们分别存在于熔覆层颗粒间白色网状组织与颗粒中     

金刚石镶嵌非晶碳膜表面微尖对场致发射的增强作用

用微波等离子体化学气相沉积设备,在金属钼衬底上沉积出了表面存在大量微尖的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、金相显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）及Ｒａｍ ａｎ谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在笔者的实验范围内,金刚石薄膜表面微尖对场致电子发射具有增强作用,且薄膜表面微尖数目越多,场发射电流密度和发射点密度越高,场发射的发射阈值越低。最后建立了一个二次场增强模型对实验结果进行了解释     

无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法,讨论表面无规场和非晶化存在对S=1和σ=1/2混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响,得到在各种情况下系统的表面相图.计算结果表明,非晶化在一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象. 关键词：