用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计

论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

完全非相干白光一维光生伏打暗空间孤子

使用白炽灯作光源在LiNbO₃∶Fe晶体内实验观察到一维白光光生伏打暗空间孤 子. 由奇数 和偶数初始条件分别产生了灰孤子和灰孤子对，它们所感应的波导能导向白光和相干光. 用 相干光清楚地探测到它们内部的多模结构. 该实验证明了白光光生伏打暗空间孤子的存在， 并指出了用完全非相干的白光暗孤子控制和导向相干光的可能性. 关键词： 光生伏打效应 自陷 完全非相干孤子 波导     

现代电子工业Cpk评价中的特殊问题

现代电子工业生产具有许多新的特点，如果不针对具体情况，均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数，评价生产工艺水平，将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点，并讨论了工序能力指数的正确计算方法。     

双基STAP雷达杂波非平稳特性消除的新方法

在单基侧视机载或星载雷达系统中,空时自适应处理是一种成熟可行的慢速移动目标检测方法。在双基雷达系统中,由于杂波的非平稳特性,空时自适应处理无法获得理想的性能。为了揭示双基雷达杂波的非平稳特性,文中推导出了方位-多普勒曲线,研究了一种基于AD曲线配准的杂波非平稳特性的消除方法,给出了此种方法的处理步骤和性能分析。通过仿真发现,该方法处理算法不太复杂且性能优良。     

液晶显示屏的非ODS清洗技术研究

本文对液晶显示器行业ODS物质的三种替代技术进行了分析比较,重点对水基清洗技术进行了研究。通过加入适量的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚和脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚磷酸酯,得到渗透性较高,乳化率和发泡性适中的水基型液晶清洗剂。     

一种实现非等带宽多载波调制的新方法

传统的多载波调制都是采用对传输信道进行等带宽划分的方式。为了更好地适应信道传输特性，一个很有应用前景的发展方向是采用非等带宽划分信道的多载波调制方式。本文提出了一种利用正交小波包变换实现的非等带宽划分信道的多载波调制方法。理论分析和实验结果表明，这种方法对于提高信道的传输性能有很大的潜力。     

钙钛矿型Sr_（1－x）Bi_xFeO_（3－y）系列物的结构、电性及铁氧化态研究

在１１００℃制备了钙钛矿型非计量系列物Ｓｒ_（１－ｘ）Ｂｉ_ｘＦｅＯ_（３－ｙ），与文献相比，明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Ｆｅ离子的平均价态，用ＸＲＤ、交流阻抗、ＩＲ、Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等方法研究了其结构与性质，该类化合物具有Ｐｍ３ｍ对称性和半导体性质，铁离子会产生电荷歧化现象。     

一类带等式约束非光滑最优化问题的逐次二次规划方法

本文对一类带等式的非光滑最优化问题给出了一种逐次二次规划方法。这类问题的目标函数是非光滑合成函数，约束函数是非线性光滑函数。该方法通过逐次解二阶规划寻找搜索方向，使用ｌ１－罚函数的非精确线搜索得到新的迭代点。我们证明了算法的全局收敛性并给出了数值试验结果。