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S-Monofluoromethyl phosphorothioates represent an important class of organofluorine compounds and are re ported here for the first time.A series of S-monofluoromethyl phosphorothioates are conveniently synthesized from different PⅤ-H compounds and PhSO2SCH2F under mild conditions.The method is compatible with common functional groups and provides potential opportunities to synthesize new bioactive molecules for medicinal chemistry. 相似文献
26.
今年6月3~4日在北京举行的中国光网络研讨大会,探讨了更多关于光网络行业所面临的机遇与挑战,EPON就是其中的热点之一。网络架构半导体解决方案提供商PMC-Sierra公司继去年在中国光网络研讨会上做了首次非对称10GEPON演示之后,此次又首次演示了于今年3月份推出的首款具有10Gb/s对称上下行性能的10GEPON系统.助力中国电信运营商部署下一代高带宽应用。 相似文献
27.
在半导体微纳工艺基础上研究了基于镜像非对称结构超材料太赫兹(THz)滤波器的性能。通过时域有限差分理论,模拟分析了滤波器工作频率下太赫兹电场强度和电流密度在微结构的分布,并阐述了微结构太赫兹波电磁共振的机理。基于太赫兹滤波器电磁损耗机制和微纳加工工艺条件,设计并优化器件开口环结构,使相邻开口环中产生电磁场的干涉相消,减少太赫兹辐射损耗,提高品质因子Q值。采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测试了滤波器的太赫兹透射特性,实验结果表明,在工作频率0.923 THz下,镜像非对称结构的平面太赫兹滤波器品质因子达到12.5。同时,研究了太赫兹电场方向对滤波器性能的影响。高Q太赫兹滤波器的研制为制备高速太赫兹电调制器等太赫兹器件提供了重要的实验依据。 相似文献
28.
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同.在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性.研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限.该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值. 相似文献
29.
提出利用梯度和光流的统计特征进行人 体行为识别的 新方法.首先,通过数理统计分析得到不同行为的梯度和光流的直方图分布均符合非对称广 义高斯分布 (AGGD);然后,分别提取梯度和光流的AGGD模型的参数,并把这些参数作为描述人体行为 的统计特征; 最后,通过计算训练集行为视频与测试集行为视频的统计特征间的马氏距离进行人体行为识 别。在 KTH数据库和Weizmann数据库上分别进行了实验仿真,两个数据库上的平均识别率分别高达95.20%和 93.16%,与其它行为识别方法相比可以明显提高行为平均识别率。 相似文献
30.
针对超宽带无线通信的应用,提出了一种新颖的具有两块非对称接地面结构的紧凑型超宽带(Ultra-Wideband,UWB)天线.本设计采用半椭圆辐射单元和两块非对称接地平面结构,以获得较宽的工作频率和较小的几何尺寸.对影响天线性能的主要几何参数进行了研究和优化并对所设计天线进行了加工制作与测量.测试结果表明:反射系数S11小于-10 dB时,所设计天线的工作频率覆盖3~12 GHz的范围,满足标准UWB带宽(3.1~10.6 GHz)的要求,且平均增益达到4.5 dBi天线具有较小的几何尺寸,仅为14 mm×18 mm=252 mm2. 相似文献