纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

一维纳米固体的电子结构

本文通过计算一维纳米固体模型的电子态密度,针对颗粒大小、颗粒界面无序度等物理量,讨论了一维纳米固体的电子结构。结果表明颗粒大小对电子能态结构影响较大,而颗粒界面无序度主要引起能带宽度和态密度大小的变化。 关键词：     

有限厚度衬底非对称共面线的基本参数

本文首先利用保角变换法分析了自由空间中的非对称共面线，得到了其严格解，然后给出了任意多层有限厚度衬底非对称共面线的有效介电常数，单位长度线电容，特性阻抗和导波波长的闭合形式的解析表达工，这些分析对微波毫米波集成电路的设计有意义。     

非对称跨网集成

本文提出用ＣＡＴＶ网作高速下行，用公用电话网作低速上行，加上一些特殊的办法，传播丰富的多媒体信息，并解决“随时可以享用”的点播问题。建议联合电子、邮电、广电三大行业的研究力量，探索跨网集成的概念，开拓中国信息业更大的发展空间。     

纳米技术的研究现状与将来

纳米科学技术将成为２１世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子，制造量子功能器件，从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和ＳＴＭ原子操纵技术的研究现状，介绍原子层蚀刻，单层抗蚀剂自形成蚀刻，纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态，展望纳米技术的发展前景。     

纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.     

Dextran-modified iron oxide nanoparticles

Dextran-modified iron oxide nanoparticles were prepared by precipitation of Fe（Ⅱ） and Fe（Ⅲ） salts with ammonium hydroxide by two methods. Iron oxide was precipitated either in the presence of dextran solution, or the dextran solution was added after precipitation. In the second method, the iron oxide particle size and size distribution could be controlled depending on the concentration of dextran in the solution. The nanoparticles were characterized by size-exclusion chromatography, transmission electron microscopy and dynamic light scattering. Optimal conditions for preparation of stable iron oxide colloid particles were determined, The dextran/iron oxide ratio 0-0,16 used in precipitation of iron salts can be recommended for synthesis of nanoparticles suitable for biomedical applications, as the colloid does not contain excess dextran and does not coagulate.