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利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。 相似文献
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陶景升 《光纤与电缆及其应用技术》2008,(4)
在线缆制造过程中,线缆护层的挤出占据了十分重要的地位.线缆护层挤出方式以及挤出模具对挤出护层质量至关重要.目前挤出方式有很多种,但都是由三种基本挤出方式单独作用或组合而成.介绍了线缆的三种基本挤出方式的优缺点及其适用范围,以及挤出模具的设计原理,给出了部分材料的拉伸比和拉伸平衡比.并以挤管式模具设计为例,详细介绍了模具设计方法及其相关典型参数,最后简要介绍了模具的装配规则. 相似文献
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下变频后的高速基带信号必须经过抽取后才能减轻后续基带处理的负担。多级抽取滤波有利于滤波器的实现。梳状滤波器用作多级抽取的首级,半带滤波器可以实现2倍的抽取,剩余的抽取滤波器用升幅FIR实现。针对各级滤波器系数的特点,在滤波器的硬件实现上采用了一系列简化方法。计算机仿真结果表明,用FPGA实现高速抽取系统是十分灵活有效的。 相似文献