InP中皮秒快速现象

利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命，观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ，掺锌ＩｎＰ中载流子寿命３８ｐｓ居中，掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心，这一结果已被喇曼光谱所证实。     

“半翻转”教学模式下评价指标体系研究与实践

研究基于“半翻转”教学模式的线上教学评价指标体系,包括课前活动开展、课中教学活动设计、课后任务以及基于此过程中的评价指标体系设计。最后通过层次分析法设计评价指标权重,设计评价算法得到动态评价结果。该评价指标体系应用在本专业“数据结构与算法”课程中,并得到良好的应用效果。     

四桥臂有源电力滤波器三维空间矢量调制技术的研究

三相四桥臂拓扑结构的有源电力滤波器（APF）不但能抑制谐波电流,也能补偿三相不平衡。在此介绍了系统的拓扑结构;通过对四桥臂电压型变换器进行建模分析,得到了APF的控制策略;详细分析了APF的三维空间矢量脉宽调制法（3D-SVM）;最后搭建了一台实验样机。实验结果验证了控制策略和调制方法的正确性和有效性。     

不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度、与Si接触有好的界面特性等,使制备的MOS器件表现出优良的电性能:低的界面态密度、低的栅极漏电、高的可靠性以及高的等效k值(21.2)。此外,N元素的加入可以抑制Hf和Ta的扩散,有效抑制界面态的产生,并使器件具有优良的抵抗高场应力的能力。     

复杂光电环境下的光电装备半实物仿真试验技术研究

本文从现代光电装备试验鉴定的需求出发,对复杂光电环境下的光电装备半实物仿真试验技术进行了研究,构建了复杂光电环境半实物仿真试验平台,研究了试验实施与评判准则。     

半桥LLC谐振变换器稳态建模及分析

介绍了半桥LLC谐振变换器的工作原理,研究了半桥LLC谐振变换器的稳态建模,利用MATLAB软件绘出其直流增益曲线,在此基础上分析了变换器主要参数对其工作性能的影响。样机实验验证了理论分析的正确性。     

硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.     

IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。     

电子战半实物仿真系统

介绍了Windows NT RTX及广播内存网在实时性方面的特点及其软硬件组成,对电子战系统的半实物仿真进行了详细综述,阐明了电子战半实物仿真系统的系统构成,并对系统的各组成部分进行了讨论。     

改善积层式单面盲孔板的翘曲

文章主要对一些积层式单面盲孔板,以及结构与图形设计不对称PCB板的翘曲问题,进行原因分析并提出相应的改善措施。