蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应

运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性.     

基于IRS2153D与IRS2453D的HID灯镇流器解决方案

给出了由两片IRS2153D或单片IRS2453D自振荡驱动IC组成HID灯电子镇流器全桥变换器的具体方法,并在简要介绍了IRS2153D的HID灯全桥驱动电路的基础上,重点介绍了基于IRS2453D的HID灯电子镇流器电路设计方案。     

TDD-LTE高速铁路通信专网受沿途部署宏蜂窝网络干扰情况分析与改进

文章首先研究了TDD-LTE相同频段部署情况下,高速铁路通信专网受到高速铁路沿途部署的宏蜂窝网络干扰而引起的高铁通信专网性能损失情况。根据高速铁路通信专网场景的特点,文章采用了半动态的仿真方法进行研究。随后,针对高铁专网受到干扰的结果,文章提出三种基于天线改进的降干扰方案并给出方案改进后的干扰结果。相关研究对高速铁路通信网络的建设和规划具有良好参考意义。     

电磁辐射对移动通信系统影响的研究

本文从电磁辐射对人体影响的角度分析了移动通信系统的传输特性,论证了在电磁辐射约束的条件下.单用户的上行链路相对于单用户的下行链路更容易达到传输能力饱和.随着上下行链路传输能力的增长.系统将会越来越表现出单用户的上行容量受限,而单用户的下行链路却拥有更大的传输速率余量和更大的发射功率余量,单用户的上下行链路具有显著的非对称传输特性,并在此基础上探讨了提高上行链路传输容量的方法.     

亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性

用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值电区减小 ,而漏电流和亚阈值摆幅增大 ,导致器件短沟性能退化 .这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制     

一种基于图像内容的小波域半脆弱水印算法

在充分考虑图像视觉屏蔽特性的基础上,提出一种小波域图像半脆弱水印算法.嵌入水印基于小波低频子带系数产生,该方案通过自适应地修改小波变换后水平与垂直细节子带系数以嵌入水印,嵌入水印具有较好的透明性.实验结果证明了算法对非恶意攻击的鲁棒性和对恶意攻击的脆弱性.     

通信系统中数字上变频技术的研究与设计

为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制后的中频信号,最后经MATLAB仿真分析得到相应的时域和频域图,来验证电路设计的有效性。     

非对称耦合量子阱的二次谐波产生与量子阱参数关系研究

采用反射式二次谐波产生 (SHG)方法对非对称Ⅱ Ⅵ族耦合量子阱Zn1 -xCdxSe ZnSe的非线性光学特性进行了研究。非中心对称性和阱间耦合效应在很大程度上增强了材料的非线性效应。发现在入射光和反射光均为p偏振 ,以及入射光和反射光分别为s偏振和p偏振两种情况下 ,SHG信号都随Cd含量x的增大而减小。与ZnSe基体材料相比 ,非对称耦合量子阱 (ACQW)在可见光波段的SHG信号增强一个量级以上。同时发现SHG信号随入射光偏振角的变化而周期性地变化。     

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 ,具有较高的计算效率和足够的精度要求     

国际新闻

正应用材料公司发布15年来在互连科技中最大的材料变革日前,应用材料公司推出Applied Endura誖VoltaTMCVD Cobalt系统,这是一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钴薄膜在铜工艺有两种应用,平整衬垫(Liner)与选择性覆盖层(Capping Layer),将铜互连的可靠