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对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
22.
MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
23.
重点介绍了地表波的传播特性及其场强计算,并利用场强值结合查CCIR推荐的地表波传播曲线来估算舰用地表波超视距雷达的最大探测距离。 相似文献
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本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。 相似文献
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近年来,以开关电源用电感为中心的微型磁件的研究取得了很大进展。本文首先讨论论影响薄膜电感和薄膜变压特性的诸要素,重点探讨薄膜材料的趋肤深度参数,并介绍薄膜电感和薄膜变压器的最新开发动向。 相似文献
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