高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响

基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体（Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS）的静电放电（Electrostatic discharge, ESD）防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。     

静电纺丝制备多孔碳纳米纤维及其电化学电容行为

采用静电纺丝技术,以聚丙烯腈(PAN)/醋酸锌为前驱体制备复合纳米纤维,随后经碳化、酸化获得多孔碳纳米纤维.扫描电子显微镜(SEM)观察发现,碳纳米纤维表面分布大量孔洞.N2吸脱附等温曲线(BET)测试材料比表面积达413m2·g-1.循环伏安法(CV)和恒流充放电(CP)性能测试表明:多孔碳纳米纤维具有较好的电化学性能,在1A·g-1的电流密度下比电容达275F·g-1.相比碳纳米纤维比容量提高了162%.     

静电聚结技术在油水分离中的研究及应用进展

静电聚结技术具有快速、清洁、高效的特性,通常不需要添加化学药剂,不产生附加污染物,同重力沉降等方法相比,对于小粒径水滴或油水界面稳定的油水混合液适应性更强。本文简要介绍了静电聚结技术的聚结原理,总结了传统电脱水技术、管式静电预聚结技术和容器内置式静电聚结技术(VIEC)的研究和应用进展,对比分析了三类静电聚结技术的适用领域及技术特点,介绍了静电聚结与湍流/剪切流耦合技术的研究现状,最后对静电聚结技术的发展方向进行归纳和展望。     

Monitoring the Hydrolysis of p—Nitrophenyl Acetate Catalyzed by Seryl—histidine with Electrospray Ionization Mass Spectrometry

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非额定风量运行对高效过滤器寿命的影响

当过滤器在额定风量Q_。(米_3/小时)下运行,积尘量P(g)从0增加到过滤器的终阻力等于初阻力的既定倍数(一般为倍)时,此时过滤器不能再使用,其上的积尘量已达到标准尘容量(简称容尘量)P_。(g),则过滤器的使用时间就是寿命T_。(d),即     

一种CMOS IC片上电源ESD保护电路

随着集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,静电放电对CMOS器件可靠性的危害也日益增大,ESD保护电路设计已经成为IC设计中的一个重要部分.讨论了两种常见的CMOS集成电路电源系统ESD保护电路,分析了它们的电路结构、工作原理和存在的问题,进而提出了一种改进的电源动态侦测ESD保护电路.使用HSPICE仿真验证了该电路工作的正确性,并且在一款自主芯片中使用,ESD测试通过士3000 V.     

功率集成电路中的高压电源和地之间的ESD保护

重点讨论了应用于功率集成电路的高压电源和地之间的一种采用动态检测电路的ESD保护电路,介绍了他的电路结构和工作原理,利用HSpice软件对其在ESD脉冲和正常工作2种情况下的功能进行了仿真,并模拟了保护电路中各器件的尺寸对电路性能的影响。仿真结果证明这种保护电路能满足ESD保护的要求,实际流水结果通过了4 kV HBM测试。     

栅耦合型静电泄放保护结构设计

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值. 关键词： 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容     

工艺参数对低压TVS器件耐压的影响

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.     

YAlO3∶Eu3+发光纳米纤维的制备与表征

采用静电纺丝技术制备了聚乙烯吡咯烷酮PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维,将其进行热处理,得到了YAlO3:Eu3+发光纳米纤维。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱等技术对样品进行了表征。PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维经1200℃焙烧2h后,获得了YAlO3:Eu3+纳米纤维,属于正交晶系,空间群为Pnma。用Shapiro-Wilk方法检验了纤维直径分布情况,在95%的置信度下,纤维直径属于正态分布。PVP/[Y(NO3)3+Al(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维表面光滑,纤维分散性较好,有很好的长径比,尺寸均一,平均直径为(152.9±26.0)nm;YAlO3:Eu3+纳米纤维的平均直径为(106.7±20.2)nm。在234nm的紫外光激发下,YAlO3:Eu3+纳米纤维的主要发射峰位于590nm和609nm处,分别属于Eu3+的5 D0→7F1跃迁和5 D0→7F2跃迁,Eu3+掺杂离子浓度对YAlO3:Eu3+发射峰的峰型与位置均没有影响,当Eu3+掺杂离子浓度为5%时,YAlO3:Eu3+纳米纤维发光最强。