气体放电等离子体特性测量I-V曲线不对称性的研究

利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析.     

气体放电击穿过程的物理和数值研究

本文对低气压（１０＾－２Ｐａ）热阴极气体放电的击穿过程给出了物理描述和相应的双流体数学型，并发展了一种选择和调整未知初始条件的有效算法，可以通过伴随试射法得到对初始条件十分敏感的非线性两点边值常微分方程组的数值解，从而给出这类气体放电中击穿过程的定量描述。     

MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析

电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。     

彩色电视机基色矩阵视放电路准最佳群时延特性分析及应用探讨

根据网络理论，对国内外典型基色矩阵放大电路的群时延特性进行了理论分析，并得出表达式。进而给出采用微型机运算的结果，应用这些结果可对电路参数估算提供有效方法。     

一种实用的蓄电池充放电检测、记忆及控制电路

本文介绍了一种实用的蓄电池充放电状态检测、记忆及控制电路工作原理。     

纯铜双层辉光离子渗钛组织形成机理及性能分析

采用双层辉光离子渗金属技术对纯铜进行了渗钛处理。用配有能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金层的显微组织形貌、钛含量分布、相组成及相结构类型进行了观察与测定，对合金层的形成机理进行了探讨，并对其性能进行了对比测定。结果表明：渗钛层由合金层和扩散层组成，合金层主要由TiCu (Cu)固溶体 TiCu4构成，TiCu4为Dla型有序相，TiCu为B2型有序相，扩散层为(Cu)固溶体。渗钛处理后纯铜的表面得到显著强化。     

带有放电去活化膜的新型高清晰度PDP放电体结构

本文介绍为实现高清晰度PDP显示而采用的一种新型放电体(cell)结构。技我们称为DDF(Discharge DeactiVation Film放电去活性膜)的透明Al2O3膜被附着在MgO表面上，它排列在相邻的包括公共电极的显示线之间的边界上。由于Al2O3膜的优良特性和较小的γi，所以在DDF上不发生放电，这对每个放电体的放电绝缘性和提高发光效率都有益处。     

三维PDP放电过程数值模拟软件

介绍了三维PDP放电过程模拟软件，该软件可较真实地反映放电单元的实际情况，对放电性能进行优化设计，且具有通用性强、界面友好、使用方便、功能完善等特点。可对不同结构、不同气体成份、不同驱动电压及波形等情况进行计算。     

可靠性的保障

Avago Technologies（安华高科技）的隔离解决方案采用专门设计，加强了绝缘功能，可以更有效地防止静电放电（ESD）和电磁干扰（EMI），成为当前许多要求严格的工业应用的理想选择。     

SMT生产中的静电防护技术

静电是一种电能，它存留于物体表面，是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果，是通过电子或离子的转换而形成的。静电现象是电荷在产生和消失过程中产生的电现象的总称。如摩擦起电、人体起电等现象。