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11.
程控电流源无需电源支持   总被引:1,自引:1,他引:0  
工程实验室通常都配有各种电源设备、伏特计、函数信号发生器和示波器。然而.许多这样的工程实验室却缺少电流源。这令人感到非常遗憾,因为电流源有助于生成I-V(电流对电压)曲线,它能对电池进行充放电操作,对电源设备预加负荷,并可实现许多其他的应用。  相似文献   
12.
基于DSP+CPLD的高精度信号发生器   总被引:2,自引:0,他引:2  
楚然  廖佳 《电子工程师》2004,30(5):32-34
介绍了基于直接数字式频率合成(DDS)原理的全数字信号发生器(DSP),利用DSP芯片快速、高精度的运算优势以及CPLD芯片灵活的编程逻辑、大容量存储功能的特点,采用通用可编程芯片以及数字波形合成技术,形成高稳定、高精度、高动态的数字合成信号.该信号发生器可产生0~25 kHz的正弦波、三角波和方波,输出电压峰峰值为0~5 V,频率步进1 Hz,幅度步进0.001 V.  相似文献   
13.
许多静电实验中,常常使用感应起电机产生较大量的静电荷,它包括韦氏和范氏两种感应起电机,统称静电高压发生器.如果没有这种仪器,或在极潮湿的气候条件下,用韦氏起电机有困难的时候,可以用感应圈代替它.对一般的静电实验来说,仍可收到满意的效果.在某些个别实验中,不但效果超过起电机,而且操作起来显得方便.  相似文献   
14.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
15.
 将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。  相似文献   
16.
 对氧碘化学激光器的单重态氧发生器(SOG)进行了改进,采用横向射流方式,并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在-16℃左右,氯气流量为530mmol/s,He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下,最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。  相似文献   
17.
主要研究了CDMA蜂窝通信系统的工作原理,且以基于IS-95标准的前向链路为主。利用MATLAB软件建立了前向链路中各器件的模块,实现了CDMA基带信号发生器,并在时域及频内进行了测量。  相似文献   
18.
太阳中微子失踪案和中微子振荡   总被引:1,自引:0,他引:1  
 (续前)五、“中微子振荡”是物理学家的法宝按照粒子物理的标准模型,中微子质量为零,它们以光速运动。存在着3种不同类型(即3种“味”)的中微子:电子型中微子(记为νe),μ-中微子(记为νμ)和τ-中微子(记为ντ),它们之间彼此不相关,分别只同电子、μ轻子和τ轻子密切相关。不过,早在戴维斯等人公布首批氯探测器的探测结果的1968年,庞托科沃就提出了这3种“味”的中微子很有可能互相来回地转化,称为“中微子振荡”。在太阳内部的热核燃烧过程中产生的中微子都是νe。但它们在从太阳到地球的漫长行进过程中,νe不断地转化为νμ和ντ。  相似文献   
19.
射流式单重态氧发生器研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3~ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140~ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导  相似文献   
20.
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