一种MLS地面静态标校测角接收机的设计与实现

从嵌入式系统高性能、低功耗、低成本特点出发,结合嵌入式 MLS 测角接收机的设计理念,开展了基于 ARM 微处理器的 MLS 测角接收机研制,详细介绍了硬件电路设计、信号处理软件设计和交互界面设计。测试表明,研制的 MLS 测角接收机功能、性能满足设计要求。     

基于网络爬虫的新闻网站自动生成系统的设计与实现

从传统媒体到网络媒体,新闻信息更新更快、内容更丰富。如何快速采集新闻,更新新闻网站成为网络媒体的一个重要问题。本文设计一个新闻网站自动生成系统,通过采用网络爬虫技术、静态网页技术,来解决自动采集新闻以及根据新闻模板生成新闻网页的问题。通过测试,该系统能快速准确地根据设置自动生成新闻网站的内容。     

微处理器设计中的时序验证及优化

为了解决微处理器设计中时序验证和性能优化问题,采取可综合代码设计到静态时序分析过程中针对关键路径进行处理的策略,完成了系统性能优化的完整流程。理论分析和实践结果证明,根据RTL级的静态时序分析结果进行系统关键路径的优化,可显著提高微处理器的总体性能,减少设计的迭代次数,缩短了设计的周期。     

适用于大型IC工厂的一种新型的不间断电源-动态UPS

大型的半导体研发和制造工厂需要高质量的可靠电源,但是,由于静态UPS的局限性,选择和使用一种新型的动态不间断电源就成为今后半导体项目设计工作中必须正视的重要问题。本文介绍了动态UPS的基本原理,通过与静态UPS对比,分析了动态UPS的优越性,并就动态UPS的应用给出了工程实例。     

二元体相分离模型的静态分歧

运用非线性分歧理论,研究二元体相分离模型的静态分歧,给出了一个与该模型线性问题第一特征值相关的临界值。当参数超过该临界值时,二元体相分离模型有静态分歧发生,此时相应的二元体有相分离现象发生。此外,提出影响二元体相分离现象发生的主要因素是晶格间距和二元体所在区域的形状。     

Gate leakage current reduction in IP3 SRAM cells at 45 nm CMOS technology for multimedia applications

We have presented an analysis of the gate leakage current of the IP3 static random access memory (SRAM) cell structure when the cell is in idle mode (performs no data read/write operations) and active mode (performs data read/write operations), along with the requirements for the overall standby leakage power, active write and read powers. A comparison has been drawn with existing SRAM cell structures, the conventional 6T, PP, P4 and P3 cells. At the supply voltage, V_DD = 0.8 V, a reduction of 98%, 99%, 92% and 94% is observed in the gate leakage current in comparison with the 6T, PP, P4 and P3 SRAM cells, respectively, while at V_DD = 0.7 V, it is 97%, 98%, 87% and 84%. A significant reduction is also observed in the overall standby leakage power by 56%, the active write power by 44% and the active read power by 99%, compared with the conventional 6T SRAM cell at V_DD = 0.8 V, with no loss in cell stability and performance with a small area penalty. The simulation environment used for this work is 45 nm deep sub-micron complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, t_ox = 2.4 nm, V_thn = 0.22 V, V_thp = 0.224 V, V_DD = 0.7 V and 0.8 V, at T = 300 K.     

640×512 15 μm 杜瓦真空失效的极限真空度研究

真空微型杜瓦内部需要高真空度来降低杜瓦与外界的热交换,保持探测器芯片低温工作温度稳定。不同杜瓦失效的真空度有一定的区别,本文通过对640×512 15 μm 及320×256这两种杜瓦组件进行不同真空度下的静态热负载测试,确定以上两种杜瓦结构的真空失效时的极限真空度。通过对比分析杜瓦组件的真空失效机理及实验数据,提出改进该结构杜瓦真空寿命的措施。     

光散射技术在研究高分子溶液和凝胶方面的应用

从溶液中的高分子、凝胶粒子及微乳胶粒子形态结构的表征和凝胶化过程、微乳液聚合及大分子缔合等动态过程的跟踪等方面的研究综述了近十几年来光散射技术在高分子溶液和凝胶领域的应用,并简单介绍了光散射技术的基本原理、发展简史和仪器及使用方法。