基于DSP的光纤电流互感器二次侧信号处理

用TMS320F206实现了有源式光纤电流互感器二次侧输出信号的处理，包括真有效值（RMS）的计算、互感器低压侧显示仪表的实现和电力系统继电保护的数字接口的实现等，给出了硬件设计和软件设计方法。     

新型光电混合式电流互感器设计

设计了一种光电混合式电流互感器,它由传感头、光纤传输和光电转换器、信号处理电路和工作电源4部分组成。这种结构具有绝缘性能高、可靠性强、质量小等特点,并对误差情况进行了分析。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

宽带电流反馈运算放大器OPA623及其应用

以电流模技术和互补双极工艺制造的集成电路具有良好的高频性能，用其构成的电流反馈放大器频带宽，转换速率高，在视频和射频信号的放大和处理以及高速数字通信系统中都得到广泛的应用。通过OPA623集成“运放”，简要介绍电流反馈放大器的原理、性能及其在高清晰度电视及有线电视传输中的应用。     

天线辐射特性计算

介绍了某雷达双反射面天线工程设计，采用Ansoft HFFS对馈源辐射特性进行仿真，获得较精确的初级方向图计算模型，应用等效面电流法和等效抛物面原理，获得反射面天线的次级方向图特性。给出了方向图特性计算值与实测结果的比较。     

凌力尔特公司微型运算放大器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244采用了独特的架构，具有8nV／√Hz的低噪声和仅为2．1pF的输入电容。除最小的电压增益误差外，LTC6244还具有卓越的DC精度。在25℃条件下，它具有1pA的偏置电流和低于100uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2．5uV／℃，     

静态随机存储器数据残留特性研究

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。     

SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析

静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。     

大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制

研制了一种大电流、窄脉宽的半导体激光器驱动电源,该驱动电源激励半导体激光器用于驱动砷化镓光导开关。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关,为半导体激光器提供一个前沿快(1.2 ns)、脉宽窄(15 ns)、峰值电流大(72 A)的脉冲驱动电流,并可根据需要调节电路中的参数,获得不同前沿、不同脉宽、不同峰值的电流脉冲。半导体激光器输出的激光脉冲功率可达75 W,上升前沿约3 ns,抖动均方根小于200 ps,可稳定触发工作在非线性模式下的砷化镓光导开关。     

85℃3000小时系列焊片式铝电解电容器的开发研究

该次试验的目的是为了开发出85℃3000小时这种新的系列的焊片式铝电解电容器。为此,对该系列选取了最小电压200V的小容量和大容量,及最大电压450V的小容量和大容量的产品分别进行了设计和开发。开发过程中对阳极箔,阴极箔,电解纸,电解液等原材料进行了分析比较,并将四种设计分别做成产品并测试最薄弱的环节85℃3000小时的纹波电流试验,结果表明该系列的设计能很好地满足电性能要求。