EMC在印制电路设计中的应用

本文简要介绍了电磁干扰的影响,就EMC作了简单介绍。并以印制电路设计为重点,试述了EMC在这方面的应用。     

Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures

Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively.     

VCR伺服故障诊断器的制作与应用

在盒式录像机（VCR）伺服故障探寻中可采用电压替换方法。这需要设计一个诊断器，它可以提供一个精密可调的电压以替换伺服马达的控制电压。     

高压静电除尘实用电源的研究

介绍采用PWM信号控制以IGBT为主开关元件的高频开关稳压电源。PWM信号由TL494产生，用EXB840专用驱动器驱动IGBT，电源输出部分采用电容倍压。该静电高压电源具有电压稳定、电路简单、体积小、重量轻、可靠性高、频率高和通用性强等特点。     

面向TI公司C6000系列DSP的电源系统设计

探讨为TI公司的C6000系列DSF’提供一套完整的电源系统的设计方法。用电压调节器TPS5602产生DSP所需的电源电压，同时用电源监控电路TPS3307-33对电源进行监测。二协调配合，可为DSP提供稳定可靠的电源。举了实际的例子进行说明。     

Eu2O3纳米晶谱带特征及光伏性质的研究

利用表面光电压谱技术对不同粒径的Eu2O3纳米晶进行光吸收特性的研究，并结合紫外－可见反射吸收光谱对其谱带进行解析，实验发现，随着样品粒径的变小，部分f→f跃迁的吸收带明显增加强并发生红移；在300－500nm区间有一个宽吸收边带，此带可归属于O2p→Eu4f的电荷转移跃迁。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。