小型全内腔脉冲Ar~＋激光管的研制

介绍一种小型全内腔脉冲Ａｒ＋激光管的设计和结构。并对不同阴极，放电管直径，激励电压及Ａｒ气压等对输出功率及激光管寿命的影响作了一系列的实验，试制出结构简单，使用方便，价格便宜的有一定实用价值的小型全内脏脉冲Ａｒ＋激光管。     

CMOS运算放大器和电压比较器

ＣＭＯＳ运算放大器和电压比较器曾庆贵根据被处理信号的性质，集成电路有数字集成电路和模拟集成电路之分。数字集成电路又称逻辑电路，是指能够对数字信号进行算术或逻辑运算的电路，如门电路、触发器、计数器和寄存器等；而模拟集成电路是对模拟信号（即连续变化的信号...     

多功能保护与告警自动调压装置

本文叙述了作者设计并制作的具有多种告警和保护功能的３８０Ｖ交流自动调压器的控制装置。它可使调压精度提高到工作电压的士１％以内，并在自动调压器输出电压过高或过低时、或出现故障时进行告警。当出现故障或误动作时自动切断调压电动机的电源。     

激光诱导激波在氮气中的传播

实验观察了强激光脉冲击穿氮气诱发激波及其传播过程，用爆炸波模型讨论了激波的产生和传播，给出了激波传播的基本规律，对实验结果作出了满意的解释。     

电流控制PWM开关电源

介绍电流控制PWM开关电源的基本原理，并将其与电压控制PWM开关电源进行比较，指出了电流控制PWM开关电源的优点。最后给出了一个实用的电流控制PWM开关电源进行比较，指出了电流控制PWM开关电源的优点，最后给出了一个实用的电流控制PWM开关电源电路。     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。     

螺旋脉冲形成线实验

在脉冲功率技术中，长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的，而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度，形成较长的脉冲，是比较有前途的发展方向，本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源，试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。